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NAND Flash 大降價，固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待

  • 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對于普通消費者來說，我們確實能買到更便宜的固態(tài)
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存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導(dǎo)
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存儲大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計最快2024年問世

  • 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。外媒報導(dǎo)，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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均價跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%

  • TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%，平均銷售單價環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%，達(dá)
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美國電信巨頭 AT&T 遭數(shù)據(jù)泄露，殃及 900 萬客戶賬戶

  • IT之家 3 月 12 日消息，美國電信巨頭 AT&T 近日向客戶通報了一起數(shù)據(jù)泄露事件，導(dǎo)致攻擊者能夠獲取與客戶“設(shè)備升級資格”相關(guān)的信息。這起嚴(yán)重的安全漏洞影響了大約 900 萬個客戶賬戶，發(fā)生在 2023 年 1 月，IT之家注意到，這也是 T-Mobile 遭受大規(guī)模數(shù)據(jù)泄露的同一個月，T-Mobile 的數(shù)據(jù)泄露影響了大約 3700 萬個后付費和預(yù)付費賬戶。AT&T 的一位代表在接受采訪時表示，此次事件泄露了客戶專有網(wǎng)絡(luò)信息（CPNI），包括賬戶上線路數(shù)量或無線套餐等數(shù)
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消費性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角，市調(diào)機構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費性電子需求急凍，未來消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價后，已與半年前256GB報價相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數(shù)據(jù)存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計了狀態(tài)機電路，靈活地實現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設(shè)計進行測試驗證。
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集邦：第四季NAND Flash價格續(xù)跌15～20％

  • 根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達(dá)30～35％，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導(dǎo)致NAND Flash下半年價格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產(chǎn)以降低虧
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SpaceX擬聯(lián)手T-Mobile融合星鏈及5G技術(shù) 馬斯克稱將提供許多“特別的東西”

  • 8月25日消息，當(dāng)?shù)貢r間周三，美國火箭公司SpaceX和無線運營商T-Mobile宣布，雙方將于美國東部時間周四晚上8點聯(lián)合舉辦一場活動，宣布所謂的“增強連接”的計劃。SpaceX首席工程師埃隆·馬斯克（Elon Musk）和T-Mobile首席執(zhí)行官兼總裁邁克·西弗特（Mike Sievert）將出席活動，活動將在SpaceX位于得克薩斯州南部的Starbase發(fā)射場舉行，星際飛船原型最近在那里被安裝到發(fā)射臺上。除了上述時間和地點外，兩家公司都沒有透露更多信息。不過馬斯克已經(jīng)開玩笑說，這場活動將提供許多
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應(yīng)需而生！兆易創(chuàng)新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

  • 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國際領(lǐng)先水平，在針對智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運行功耗，有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。  隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來滿足消費者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求，希
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兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問世

  • 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實現(xiàn)了進一步提升，為消費電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測設(shè)備等對電池壽命和緊湊型設(shè)計有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。 如今，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計出貨190億顆！兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三

  • 在國產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當(dāng)屬長江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?！　?月30日，兆易創(chuàng)新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過190億顆，其中NOR閃存的市場份額更是排名全球前三?！　≌滓讋?chuàng)新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統(tǒng)PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著延長電池壽命。　　NOR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無線耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長21%至35億美元

  • Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長了33%，平均售價則上漲23%。預(yù)計Nor Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。 Nor Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達(dá)91%。 去年華邦電Nor Flash銷售額達(dá)10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來，采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進40納米制程。
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鎧俠為實現(xiàn)超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

  • NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設(shè)備的存儲密度，據(jù)外媒報導(dǎo)，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數(shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報道，近日鎧俠表示，已設(shè)法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現(xiàn)的每個單元
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盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？

  • 5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達(dá)到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
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