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Vishay的多款產(chǎn)品入選Design News的GoldenMousetrap最佳產(chǎn)品的最終評(píng)選名單

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其TANTAMOUNT? Hi-Rel COTS T97和商用的工業(yè)級(jí)597D系列固鉭貼片電容器,以及ThunderFET? SiR880DP 80V N溝道功率MOSFET入選2011年Design News雜志電子和測(cè)試類(lèi)Golden Mousetrap Best Product的最終評(píng)選名單?!?/li>
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Vishay推出9款新系列整流器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布9款新系列低外形、表面貼裝的標(biāo)準(zhǔn)、快速和超快雪崩整流器---AS1Px、AS3Px和AS4Px標(biāo)準(zhǔn)整流器,AR1Px、AR3Px和AR4Px快速整流器,AU1Px、AU2Px和AU3Px超快整流器。整流器的雪崩容量達(dá)20mJ EAS,正向電流高達(dá)4A,采用節(jié)省空間的小尺寸SMP和SMPC封裝?!?/li>
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Vishay發(fā)布高性能單通道和雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新的可在1.1V~5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開(kāi)關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414,器件在1.2V下的低開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率,150μs的典型受控軟啟動(dòng)斜率能夠限制涌入電流,使受控的啟動(dòng)過(guò)程更加平滑,從而將開(kāi)關(guān)噪聲降至最小。 
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Vishay榮獲TTI Asia的優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng)

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng)。Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一,TTI是全球領(lǐng)先的授權(quán)分銷(xiāo)商,專(zhuān)門(mén)從事無(wú)源、連接器、機(jī)電產(chǎn)品和分立器件的分銷(xiāo)?!?/li>
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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用3232外形尺寸的電感器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款I(lǐng)HLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11,該器件在同類(lèi)器件當(dāng)中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面積為8.3mm x 8.8mm,高度僅有4.0mm,低至1.35m?的最大DCR和從0.22μH至47.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值可提供系統(tǒng)所需的高效率。
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Vishay提供免費(fèi)Joule School在線脈沖能量計(jì)算器

  •   Vishay宣布,在Vishay網(wǎng)站上推出可幫助設(shè)計(jì)者為其應(yīng)用選擇合適的繞線電阻的免費(fèi)在線脈沖能量計(jì)算器。   Vishay新的Joule School在線脈沖能量計(jì)算器使設(shè)計(jì)者能夠確定在其應(yīng)用中在電阻上通過(guò)的脈沖能量。計(jì)算器非常適合為承受容性充電/放電或閃電浪涌等大脈沖應(yīng)用來(lái)選擇合適的繞線電阻,包括電話塔、雷達(dá)系統(tǒng)、風(fēng)車(chē)、焊接機(jī)、測(cè)試設(shè)備和電源等。   Joule School簡(jiǎn)單易用,設(shè)計(jì)者可以從三種脈沖類(lèi)型中選擇一種進(jìn)行計(jì)算,包括矩形脈沖、容性充電/放電脈沖和指數(shù)衰減脈沖。在選擇完脈沖類(lèi)型后
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Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝,具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數(shù)。   40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?,在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
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Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝,具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。   
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Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用0.6mm超低外形的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內(nèi),新的SiA444DJT實(shí)現(xiàn)了N溝道MOSFET當(dāng)中業(yè)內(nèi)最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。 
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Vishay推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出增強(qiáng)型PLT系列精密低TCR薄膜電阻,將容差降至±0.01%。在-55℃~+125℃的溫度范圍內(nèi),這些器件具有低至±5ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR。   
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Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術(shù),在具有4.5V電壓等級(jí)的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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Vishay推出超長(zhǎng)使用壽命新款鋁電容器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新系列螺旋式接線柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長(zhǎng)達(dá)5000小時(shí),在+105℃下的額定紋波電流高達(dá)34.8A,提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸。   
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Vishay推出可滿(mǎn)足更低電壓需求的紅外接收器

  •   Vishay Intertechnology, Inc.宣布,為其TSOP 紅外系列接收器中的10種產(chǎn)品推出新的“V”低壓電源選項(xiàng),擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合,以滿(mǎn)足電池供電的消費(fèi)產(chǎn)品對(duì)更低工作電壓的需求。在低至2V的電源電壓和+5℃~+85℃的溫度范圍內(nèi)工作時(shí),V系列器件始終能夠保持穩(wěn)定的靈敏度等級(jí)。   在采用2節(jié)堿性電池的應(yīng)用中,以160mA負(fù)載工作3小時(shí),電池的典型放電曲線會(huì)從3V降到2.5V。這意味著只能在2.5V電壓下工作的標(biāo)準(zhǔn)接收器將停止工作。而一個(gè)典型非線性電池
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Vishay推出新款儀表分流電阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款Power Metal Strip儀表分流電阻--- WSMS2908,在業(yè)內(nèi)首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線,無(wú)需昂貴的柔性引線。在2908尺寸的封裝內(nèi),WSMS2908實(shí)現(xiàn)了3W功率和100 μΩ的極低阻值。   
  • 關(guān)鍵字: Vishay  WSMS2908  

利用低門(mén)限電壓延長(zhǎng)電池壽命

  •         降低能量消耗、延長(zhǎng)電池壽命,這是每個(gè)工程師在設(shè)計(jì)便攜式電子產(chǎn)品時(shí)努力的目標(biāo)。電池技術(shù)的進(jìn)步非常緩慢,所以便攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者把延長(zhǎng)電池壽命的重點(diǎn)放在電源管理上。多年以來(lái),從事電源管理業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶(hù)的需求。越來(lái)越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新,這些產(chǎn)品需要峰值性能,要求設(shè)計(jì)者在設(shè)備的物理尺度內(nèi)實(shí)現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開(kāi)發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術(shù),但還遠(yuǎn)不能滿(mǎn)
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vishay介紹

威世(VISHAY)集團(tuán)成立于1962年,總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家,其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]

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