2016年3D V-NAND市場擴(kuò)大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

　　在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴(kuò)大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。

　　據(jù)韓國MT News報導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍，而除目前獨(dú)占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨(dú)大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。

　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-NAND占比將從第2季2.9%，在年底提升到7.4%，2016年第4季時預(yù)估將增加到29.6%，在1年半的時間內(nèi)擴(kuò)大約10倍。

　　V-NAND市場迅速成長，2017年將擠下目前占市場比重97%平面TLC或MLC NAND Flash，以41.2%成為主要產(chǎn)品。2019年V-NAND將以77.2%市占率掌握市場。因技術(shù)難度高，目前V-NAND雖然只應(yīng)用在伺服器用產(chǎn)品等高階市場，但未來將會迅速往移動裝置用市場擴(kuò)散。

　　3D V-NAND比起平面NAND，處理速度快2倍、耐久性快10倍、生產(chǎn)效益高2倍、耗電量也減少一半。TLC更容易實(shí)現(xiàn)高容量化，且重量和體積都大幅縮減。目前三星和日系大廠東芝(Toshiba)都有生產(chǎn)TLC NAND，而V-NAND市場則由三星獨(dú)占。

　　V-NAND市場規(guī)模擴(kuò)大，半導(dǎo)體大廠也加速展開移動。繼三星之后，NAND Flash市場二哥東芝計劃在2015年下半投入48層堆疊V NAND生產(chǎn)。美光(Micron)和英特爾(Intel)決定攜手共同研發(fā)3D NAND，三星日前則公開較128Gb TLC容量提高3倍的384Gb TLC技術(shù)。

　　SK海力士(SK Hynix)計劃2015年第3季開始生產(chǎn)36層堆疊MLC V-NAND。2014年底SK海力士完成研發(fā)24層結(jié)構(gòu)V-NAND技術(shù)，在2015年底將推出48層TLC V-NAND，正式加入V-NAND競局。

　　三星2013年8月成功生產(chǎn)24層結(jié)構(gòu)MLC V-NAND，領(lǐng)先全球開啟3D NAND市場后，2014年10月開始量產(chǎn)32層128Gb TLC V-NAND。三星為生產(chǎn)48層產(chǎn)品，已完成相當(dāng)?shù)臏?zhǔn)備作業(yè)。在最終檢驗(yàn)完成后，將較其他競爭企業(yè)提早6~7個月，投入48層TLC V-NAND量產(chǎn)。

　　東芝等半導(dǎo)體大廠正展開追即，然三星暫時可維持技術(shù)差距。韓國半導(dǎo)體業(yè)者表示，技術(shù)研發(fā)、樣品生產(chǎn)等與實(shí)際投入量產(chǎn)時差很大。在量產(chǎn)前一刻若發(fā)現(xiàn)問題，將使計劃推遲一段時間，因此要到其他半導(dǎo)體大廠投入生產(chǎn)，才能看出其追擊能力。

　　另一方面，正逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的固態(tài)硬碟(SSD)，也將擴(kuò)大搭載3D V-NAND。報導(dǎo)稱，2015年V-NAND SSD占市場比重約2~3%，之后將持續(xù)擴(kuò)大，2017年17~19%、2018年31~35%、2019年45~55%等。

　　三星2014年在SSD市場的占有率以34%位居第一，與市占率17%、排名第二名的英特爾差距達(dá)2倍。韓國半導(dǎo)體業(yè)者表示，在V-NAND技術(shù)方面三星較為領(lǐng)先，在SSD市場上可能也將持續(xù)占有優(yōu)勢。