梁孟松離職風(fēng)波后續(xù)：中芯國際送了一套價值2千萬的房子

3月31日晚間，大陸晶圓代工龍頭中芯國際發(fā)布2020全年財報，凈利潤大漲141.5%，達7.16億美元，成科創(chuàng)板“摘U”第一股！這是中芯國際登陸科創(chuàng)板以來首份對外公布的財報。

科創(chuàng)板帶著“-U”的股****簡稱，代表這家上市企業(yè)尚未盈利，而成功扭虧為盈的中芯國際，將在明日正式摘掉“U”這一特別標(biāo)識。

財報顯示，2020年，中芯國際多項財務(wù)指標(biāo)創(chuàng)歷史新高：全年營業(yè)收入合計39.07億美元（約合人民幣256.7億元）, 同比成長25.4%；毛利9.21億美元，同比成長43.3%；歸屬于公司的凈利潤7.16億美元，同比成長204.9%，實現(xiàn)近兩倍增長；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤3.3億美元，去年這一數(shù)字尚為虧損1.0億美元。

中芯國際表示，歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤由虧損轉(zhuǎn)為盈余，主要原因為經(jīng)營性利潤增加以及投資收益增長。此外，銷售晶圓數(shù)量增長與產(chǎn)品組合變動也共同推動了營收增長。2019年，其銷售晶圓數(shù)約為500萬片（折合8英寸晶圓），報告期內(nèi)這一數(shù)量增長至570萬片，漲幅達到13.3%。此外，每片晶圓的平均售價亦有所上漲，由上年的620美元增加至今年的686美元。

分業(yè)務(wù)來看，來自晶圓代工業(yè)務(wù)的營收為34.7億美元，占總營收比重為88.9%；來自光掩模制造、測試及其他配套技術(shù)服務(wù)的營收總和為4.3億美元，占總營收比重11.1%。其中晶圓代工業(yè)務(wù)收入同比增長19.9%，其他業(yè)務(wù)收入實現(xiàn)較快增長，同比增長97.7%。

其他業(yè)務(wù)的較快增長亦符合中芯國際的發(fā)展戰(zhàn)略。其在年報中表示，除晶圓代工業(yè)務(wù)外，中芯國際亦致力于打造平臺式的生態(tài)服務(wù)模式，為客戶提供設(shè)計服務(wù)與IP支持、光掩模制造、凸塊加工及測試等一站式配套服務(wù)，并促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，最終與產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)企業(yè)一同為客戶端提供全方位的集成電路解決方案。

分地區(qū)來看，2020年中芯國際來自大陸與香港地區(qū)的業(yè)務(wù)收入占主營業(yè)務(wù)收入的63.5% ，收入同比增長34.1%；北美區(qū)業(yè)務(wù)占主營業(yè)務(wù)收入的23.2% ，同比增長10.4%；歐洲及亞洲業(yè)務(wù)區(qū)收入占主營業(yè)務(wù)收入13.3% ，同比增長16.7%。

從應(yīng)用領(lǐng)域看，智能手機類應(yīng)用收入占晶圓代工業(yè)務(wù)營收的44.4%，同比增長21.7%；智能家居類占晶圓代工收入17.1%，同比增長22.3%；消費電子占晶圓代工業(yè)務(wù)營收的18.2% ，收入同比增長6.5%；其他應(yīng)用類占晶圓代工業(yè)務(wù)收入的20.3% ，增長28.3%。

以技術(shù)節(jié)點作分界，來自90納米及以下制程的晶圓代工業(yè)務(wù)收入占比58.1% ，而2019年則為50.6%。其中，55/65納米技術(shù)的收入貢獻比例由2019年的27.3%增加至2020年的30.5%。28納米及以下技術(shù)的收入貢獻比例由2019年的4.3%增加至2020年的9.2%。

此外報告顯示：中芯國際向梁孟松博士贈予了一套價值2250萬元（含稅）的住房。

此前，業(yè)界傳聞梁孟松曾有離職意向。目前看，梁孟松的離職風(fēng)波中芯國際已經(jīng)內(nèi)部穩(wěn)妥處理，而且梁孟松很有可能正是中芯國際12nm平臺進展的核心功臣。

關(guān)于項目研發(fā)進展，中芯國際在財報中披露了第二代FinFET技術(shù)、14nm FinFET技術(shù)等10大在研項目的研發(fā)進展。

根據(jù)財報，2020年中芯國際先進技術(shù)平臺研發(fā)進展順利。第一代FinFET工藝制造水平逐步提高，進入成熟量產(chǎn)階段，產(chǎn)品良率已經(jīng)達到業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)；多個衍生平臺開發(fā)按計劃完成，已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品多樣化目標(biāo)，其中包括在14納米FinFET通用工藝平臺上完成了12nm通用平臺驗證等。

第二代FinFET技術(shù)首次采用了SAQP形成鰭結(jié)構(gòu)以達到更小尺寸結(jié)構(gòu)的需求，相對前代技術(shù)，單位面積晶體管密度大幅提高。目前中芯國際第二代FinFET技術(shù)已經(jīng)完成低電壓工藝開發(fā)，可以提供0.33V/0.35V低電壓使用需求，已經(jīng)進入風(fēng)險量產(chǎn)。

通過加強第一代、第二代FinFET多元平臺開發(fā)和布建，中芯國際將拓展平臺的可靠性及競爭力，或有助于未來進一步布局移動、無線、計算、AI、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域。

同時，中芯國際特色工藝技術(shù)研發(fā)進展順利，有多個技術(shù)交付量產(chǎn)，40nm及0.11微米嵌入式非揮發(fā)性存儲器平臺進入風(fēng)險量產(chǎn)，其他高壓驅(qū)動、特殊存儲技術(shù)、圖像傳感項目研發(fā)亦在穩(wěn)步推進中。