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三星宣布新一代封裝技術(shù)I-Cube4已完成開發(fā),將面向高性能應用領(lǐng)域

發(fā)布人:超能網(wǎng) 時間:2021-05-08 來源:工程師 發(fā)布文章

三星宣布,其下一代2.5D封裝技術(shù)Interposer-Cube4(I-Cube4)已完成開發(fā),將再次引領(lǐng)了芯片封裝技術(shù)的發(fā)展。三星的I-CubeTM是一種異構(gòu)集成技術(shù),可將一個或多個邏輯管芯(Logic Chip)和多個高帶寬內(nèi)存芯片(HBM,High Bandwidth Memory)使用硅中介層,從而使多個芯片排列封裝在一個芯片里。I-Cube4是I-Cube2的繼任者,從高性能計算(HPC)到AI、5G、云和大型數(shù)據(jù)中心等地方,有望帶來更高效率。

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在2018年,三星展示了將邏輯芯片和2個HBM集成一體的“I-Cube2”解決方案。到了2020年,三星發(fā)布了新一代的“X-Cube”技術(shù),可以將邏輯芯片和SRAM進行垂直3D堆疊。三星市場戰(zhàn)略部負責人Moonsoo Kang表示:

“隨著高性能應用的爆炸式增長,必須提供具有異構(gòu)集成技術(shù)的整體代工解決方案,以提高芯片的整體性能和電源效率。憑借I-Cube2的生產(chǎn)經(jīng)驗以及I-Cube4的商業(yè)競爭力,我們還將開發(fā)配置了6個和8個HBM芯片的新技術(shù),并將其推向市場。下一代封裝技術(shù)的重要性正在增強,我們會將重點放在高性能計算領(lǐng)域?!?/p>

硅中介層(Interposer)是指在高性能芯片和低速運行的PCB板之間,插入的微電路板。硅中介層和放在它上面的邏輯芯片、HBM通過硅通孔(TSV,Through Silicon Via)微電極連接。使用這種技術(shù),不僅能提升性能,而且還能減小封裝面積。通常硅中介層面積成比例增加,可以容納更多的邏輯芯片和HBM芯片。由于I-Cube中的硅中介層比紙更?。s100μm),因此較大的中介層就很容易出現(xiàn)彎曲或翹曲,這會對產(chǎn)品的品質(zhì)產(chǎn)生影響。

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憑借在半導體領(lǐng)域的專業(yè)知識和豐富經(jīng)驗,三星通過改變材料和厚度來控制中介層的翹曲和熱膨脹,從而成功實現(xiàn)了I-Cube4的商業(yè)化。

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