美光營收、利潤大幅增長,然而股價(jià)卻跌超5%,存儲行業(yè)已達(dá)“周期頂點(diǎn)”?
我們已經(jīng)在昨天的文章中分析了美光2021年3月-5月財(cái)季的財(cái)務(wù)狀況(相關(guān)鏈接:行情緊俏,美光Q3財(cái)季凈利潤大增116%,并稱缺貨將持續(xù)至2022年,Lehi工廠著落已定?。?6%的收入增長和116%的利潤增長,以及下季度持續(xù)增長的收入和毛利率預(yù)測,美光最新財(cái)季的業(yè)績表現(xiàn)無疑是十分亮眼的。
但為何在交出的這份完美答卷后,市場卻呈現(xiàn)負(fù)面反應(yīng),美光盤后跌超近6%?
這其中主要的原因有兩點(diǎn),一是擔(dān)憂客戶庫存從“及時(shí)”轉(zhuǎn)變?yōu)椤耙苑廊f一”,這掩蓋了真實(shí)的需求水平,甚至?xí)斐蛇^熱假象;二是美光提高了資本支出,分析師擔(dān)憂資本支出上升可能預(yù)示著供應(yīng)過剩,這正是周期頂點(diǎn)的表現(xiàn)。
那么,怎樣正確看待這種解讀,讓我們從美光的財(cái)報(bào)會議中一探究竟。
美光:幾乎所有的終端需求都表現(xiàn)強(qiáng)勁,但供應(yīng)無法完全滿足需求
整體來看,美光預(yù)計(jì)2021年DRAM Bit需求增長略高于20%,NAND Bit需求增長30%,幾乎所有的終端需求都表現(xiàn)強(qiáng)勁。
數(shù)據(jù)中心市場:在第三財(cái)季,受云客戶的強(qiáng)勁需求和模塊存儲密度增加的推動,數(shù)據(jù)中心 DRAM 收入環(huán)比增長,數(shù)據(jù)中心 SSD Bit出貨量和收入也環(huán)比增長。預(yù)計(jì) 2021 年下半年數(shù)據(jù)中心需求將強(qiáng)勁,因?yàn)樵菩枨蠡厣?,企業(yè)需求因經(jīng)濟(jì)全面復(fù)蘇而改善。
PC市場:PC市場繼續(xù)受益于更大的移動性趨勢。在筆記本電腦銷售強(qiáng)勁和臺式機(jī)市場復(fù)蘇的推動下,預(yù)計(jì)2021年P(guān)C出貨量將增長15%以上。美光1α nm DDR4產(chǎn)品已經(jīng)在PC平臺獲多項(xiàng)資格認(rèn)證。第三財(cái)季中cSSD bit出貨量環(huán)比和同比均大幅增長。
Graphic市場:在強(qiáng)勁的新一代游戲機(jī)和顯卡出貨量的推動下,GDDR bit出貨量環(huán)比和同比增長。
Mobile市場:美光實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的MCP季度收入。盡管 COVID-19 削弱了亞洲部分地區(qū)(印度和中國)的移動需求,但為滿足其他地區(qū)更強(qiáng)勁的需求而進(jìn)行的供應(yīng)轉(zhuǎn)移使全球市場保持供需平衡。美光預(yù)計(jì)2021年5G手機(jī)將達(dá)5億臺以上,將配置更高的存儲容量。也非常樂觀看到已經(jīng)有游戲手機(jī)配置有18GB DRAM。
汽車市場:隨著制造業(yè)的復(fù)蘇和用于車載信息娛樂和自動駕駛的 LPDDR4 和 eMMC 逐漸增加,美光的汽車業(yè)務(wù)已經(jīng)連續(xù)第三個(gè)季度實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的季度業(yè)績。預(yù)計(jì)汽車銷量將較去年大幅增長。汽車和工業(yè)需求非常強(qiáng)勁,但同時(shí)美光表示由于供應(yīng)鏈中的某些非存儲半導(dǎo)體組件(閃存市場預(yù)計(jì)這里主要是指主控芯片)短缺,可能無法在未來幾個(gè)月滿足這些客戶的所有需求。
應(yīng)對長短料的原因,客戶主動增加存儲庫存,但美光保守性供應(yīng)策略及低水平庫存水位,將有效緩解客戶庫存偏高風(fēng)險(xiǎn)
數(shù)據(jù)中心、PC、Graphic、汽車和工業(yè)等等,美光看到幾乎所有的終端市場都有著強(qiáng)勁的需求,而目前這些對于 DRAM 和 NAND 的需求并未得到完全的滿足。如果不是因?yàn)榉谴鎯M件短缺影響了終端產(chǎn)品制造能力,尤其是在個(gè)人電腦、汽車和工業(yè)市場,這種未滿足的需求會更大。也就是說,雖然短期內(nèi)的需求強(qiáng)勁,存儲供應(yīng)并不能完全滿足需求,但同時(shí)其他芯片的缺貨抑制了終端出貨,也就在一定程度上削弱了對存儲芯片的需求。
而且,隨著終端市場需求趨勢強(qiáng)勁、疫情的反復(fù)和地緣政治持續(xù)的不確定性,一些客戶將把他們的庫存管理策略從“及時(shí)”轉(zhuǎn)變到“以防萬一”,將庫存水位提高到正常水平之上。即由于需求還不錯(cuò),長短料原因,部分客戶會主動建立存儲庫存,同時(shí)等待其他非存儲零部件的供應(yīng),尤其在汽車行業(yè)這種跡象更加明顯。用這種主動增加的庫存來建立緩沖,因此會導(dǎo)致存儲訂單的不確定性加大。
當(dāng)然,市場上會擔(dān)憂這種情況會掩蓋真實(shí)的需求水平,造成過熱的假象,我們已經(jīng)看到了美光本財(cái)季DRAM ASP水平環(huán)比增長20%達(dá)到近幾年最高的狀態(tài)。但同時(shí),需要注意到的是,美光在第三財(cái)季度末的庫存為45億美元或98天,依然處于非常低的庫存水位。而且,美光表示在2021年6月-8月財(cái)季整體Bit增長將環(huán)比持平,雖然1αnm DRAM產(chǎn)品供應(yīng)增加但并不會加大整體DRAM bit的供應(yīng);之前NAND Flash有些供過于求,但現(xiàn)在已經(jīng)穩(wěn)定下來,趨勢有所改善。這也就意味著,美光在供應(yīng)上將保持謹(jǐn)慎的態(tài)度,而且也明確提出FQ4的價(jià)格還是持續(xù)上漲的。
注:圖中21Q4指2021年6-8月
美光提高資本支出,用于未來技術(shù)路線的拓展,短期并不會增加供應(yīng)
存儲行業(yè)是強(qiáng)周期行業(yè),往往在周期性行業(yè)的景氣頂點(diǎn)各供應(yīng)商都會增加產(chǎn)能,這會造成未來的供應(yīng)過剩,進(jìn)一步導(dǎo)致行業(yè)進(jìn)入衰落期。當(dāng)美光表示提高資本支出時(shí),這引起了投資者的擔(dān)憂。
美光表示已經(jīng)從ASML訂購了EUV設(shè)備,支付預(yù)付款,這將增加2021財(cái)年和2022財(cái)年的資本支出。其中,2021財(cái)年增加資本支出到95億美元,這要高于過去的80~90億美元左右的平均水平。
美光在DRAM技術(shù)中一直沒有使用EUV設(shè)備,他們認(rèn)為DUV能夠滿足現(xiàn)在的成本效益表現(xiàn)。但隨著在DRAM生產(chǎn)技術(shù)中向更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換,美光將在1γ nm制程節(jié)點(diǎn)時(shí)使用EUV,這將在2024年實(shí)現(xiàn)EUV DRAM技術(shù)的擴(kuò)展路線。同時(shí)在2022和2023年行業(yè)會處于從DDR4向DDR5升級的過程,而由于DDR5的Die Size要大于DDR4,所以在此期間,DRAM wafer供應(yīng)增加幅度要少于上一個(gè)技術(shù)升級階段。
美光也解釋到,增加的資本支出主要用于EUV 預(yù)付款、建筑支出和其他研發(fā)項(xiàng)目,這也就意味著增加的資本支出并不會馬上增加行業(yè)的供應(yīng)。美光也明確提到了,“這不會影響到2021日歷年和2022財(cái)年的Bit供應(yīng)增加”。
當(dāng)然,除美光外,其他原廠如三星和SK海力士此前也表示增加資本支出,SK海力士預(yù)計(jì)2021年全年資本支出將較2020年明顯增加,金額預(yù)估超過10萬億韓元(約90億美元),同時(shí)也因?yàn)橄掳肽旯?yīng)將吃緊,下半年將增加資本支出,提高生產(chǎn)力,以緩解市場緊張的市況,以及應(yīng)對2022年市場需求增長。三星也有意在韓國建立第二座平澤園區(qū)。但擴(kuò)產(chǎn)步調(diào)均較為保守。
從美光的反饋來看,目前的市場需求還是處于非常強(qiáng)勁的狀況,短期內(nèi)并不能完全滿足需求,因此美光表示到 2022 年,存儲芯片的供應(yīng)都將持續(xù)保持“緊張”。無論是客戶庫存增加,恐造成overbooking現(xiàn)象,導(dǎo)致真實(shí)的需求存在一定的過熱;還是提高資本支出,恐加大供應(yīng),引發(fā)供過于求的連鎖反應(yīng),這些風(fēng)險(xiǎn)確實(shí)都有存在的可能性。但美光采取保守性供應(yīng)策略,明確不會積極加大供應(yīng),其他原廠的擴(kuò)產(chǎn)步調(diào)也都較為保守,均有意防范供過于求的局面,或許將會避免出現(xiàn)2018~2019年上半年存儲行業(yè)大幅供過于求,存儲芯片跌價(jià)60%以上的情形。
*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請聯(lián)系工作人員刪除。
干涉儀相關(guān)文章:干涉儀原理