美光超三星，其1α DRAM擁有業(yè)界最高存儲(chǔ)密度！

在推動(dòng)DRAM制程向1α節(jié)點(diǎn)演變中，美光在三家原廠中態(tài)度最為積極，并于今年6月開始批量出貨1α級(jí)工藝LPDDR4x和DDR4；緊隨其后的就是SK海力士，于今年7月開始量產(chǎn)第四代10nm（1α）級(jí)工藝的8Gb LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。然而，存儲(chǔ)巨頭三星卻尚未發(fā)布關(guān)于1α制程產(chǎn)品的信息。

隨著美光和SK海力士邁入下一技術(shù)節(jié)點(diǎn)，三星的技術(shù)優(yōu)勢(shì)難免會(huì)被超越。據(jù)韓媒報(bào)道，美光最新產(chǎn)品擁有0.315Gb/mm2的存儲(chǔ)密度，half pitch為14.3nm，超越了三星1z制程工藝0.299 Gb/mm2的存儲(chǔ)密度，是當(dāng)前業(yè)內(nèi)存儲(chǔ)密度最高的產(chǎn)品。

既然在量產(chǎn)時(shí)程被超越，報(bào)道稱，三星計(jì)劃在今年底之前量產(chǎn)1z制程DRAM，線寬僅為14nm，比美光的要小。

DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)激烈

除了在技術(shù)制程上競(jìng)爭(zhēng)激烈之外，三家原廠在投資擴(kuò)產(chǎn)方面也你爭(zhēng)我搶。在DRAM領(lǐng)域，SK海力士M16工廠已于今年初竣工，首次引進(jìn)了EUV光刻設(shè)備，并預(yù)計(jì)從今年下半年開始投產(chǎn)；美光A3廠區(qū)也如期完工，將投產(chǎn)1α制程產(chǎn)品。

投資方面，據(jù)韓媒報(bào)道，預(yù)計(jì)今年三星在內(nèi)存方面的投資將達(dá)20兆韓元，SK海力士達(dá)14兆韓元，美光達(dá)100億美元。出貨量方面，預(yù)計(jì)今年三星內(nèi)存出貨量將增長(zhǎng)27%，SK海力士將增長(zhǎng)21%，美光將增長(zhǎng)26%。