剛剛,首個3nm量產(chǎn)官宣!
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芯東西6月30日報道,今天上午,三星電子官宣,已開始量產(chǎn)基于GAA晶體管(Gate-All-Around FET,全環(huán)繞柵極)結(jié)構(gòu)的3nm芯片。
▲三星代工業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體研發(fā)中心的領(lǐng)導(dǎo)者舉起三根手指作為3nm的象征,慶祝該公司首次生產(chǎn)采用GAA架構(gòu)的3nm工藝(圖片來源:三星電子)
與5nm制程相比,3nm制程降低了45%的功耗,提升了23%的性能,并減小了16%的面積。三星電子正在位于首爾南部華城市的晶圓廠生產(chǎn)3nm芯片。這是全球首次采用GAA晶體管結(jié)構(gòu)的芯片,標(biāo)志著芯片制造進(jìn)入了新的時代。三星電子稱,其GAA晶體管芯片將應(yīng)用于高性能、低功耗計算領(lǐng)域,并計劃擴(kuò)展到移動處理器。據(jù)外媒報道,一家中國礦機(jī)芯片公司將成為三星電子3nm制程的首位客戶,高通也預(yù)定了三星電子的3nm制程。芯東西
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01.晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)入GAA時代第二代3nm制程性能參數(shù)宣布
▲三星電子晶體管結(jié)構(gòu)路線圖(圖片來源:三星電子)
三星電子的3nm制程將能夠調(diào)整通道寬度,以適應(yīng)更多客戶的需要。三星電子還強(qiáng)調(diào),其GAA技術(shù)的設(shè)計優(yōu)勢來自于DTCO(設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化),這能夠幫助提升芯片的PPA(性能、功率、面積)。和5nm制程相比,三星電子的第一代3nm制程能夠降低45%的功耗,提升了23%的性能,并減小16%的面積。而第二代3nm制程將有進(jìn)一步的優(yōu)化,將降低50%的功耗,提升30%的性能,降低35%的面積。此外,三星電子還提到,自2021年第三季度開始,其和Ansys、Cadence、Siemens、Synopsys等SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)合作伙伴一起提供了經(jīng)過驗證的設(shè)計基礎(chǔ),這幫助三星電子的客戶在短時間內(nèi)完善了它們的產(chǎn)品。三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi稱:“我們將繼續(xù)在具有競爭力的技術(shù)開發(fā)中積極創(chuàng)新,并建立有助于加速技術(shù)成熟的流程?!?/span>據(jù)日經(jīng)亞洲報道,三星電子正在位于韓國首爾南部的華城市生產(chǎn)3nm芯片。▲三星電子副總裁Michael Jeong(左一)、企業(yè)執(zhí)行副總裁Ja-Hum Ku(左二)、三星代工業(yè)務(wù)公司副總裁Sang Bom Kang(左三)正在三星電子華城園區(qū)的生產(chǎn)線上舉起3nm晶圓(圖片來源:三星電子)
02.三星3nm首個客戶或為中國公司臺積電下半年量產(chǎn)3nm
03.結(jié)語:三星率先開啟GAA晶體管時代先進(jìn)制程之戰(zhàn)進(jìn)入白熱化
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