獲“無(wú)限期豁免”后，三星西安工廠將升級(jí)236層NAND技術(shù)！

10月22日消息，據(jù)外媒體報(bào)道，存儲(chǔ)芯片大廠三星在獲得美國(guó)政府對(duì)其在中國(guó)的工廠的“無(wú)限期豁免”之后，使得三星在中國(guó)的工廠將無(wú)需特別許可申請(qǐng)，就可進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備來(lái)進(jìn)行升級(jí)或擴(kuò)產(chǎn)的動(dòng)作。

報(bào)道稱，在取得豁免后，三星高層已決定將其為在中國(guó)西安NAND Flash閃存工廠升級(jí)到236層堆疊的技術(shù)，并準(zhǔn)備開(kāi)始大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作。

△三星 1Tbit Gen 8 V-NAND 芯片

報(bào)道引用消息人士的說(shuō)法指出，三星已開(kāi)始預(yù)定和購(gòu)買(mǎi)最新的半導(dǎo)體設(shè)備以用于接下來(lái)的制程轉(zhuǎn)換動(dòng)作。預(yù)計(jì)，新設(shè)備將在2023年底交貨，并在2024年于西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)三星第8代V-NAND的技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到236層，相比其第7代V-NAND的176層數(shù)增長(zhǎng)了34%。這也被業(yè)界視為在當(dāng)前全球NAND Flash閃存需求疲軟，導(dǎo)致產(chǎn)能下降的應(yīng)對(duì)計(jì)劃。

根據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示，三星中國(guó)半導(dǎo)體有限公司在2012年正是落腳中國(guó)西安高新區(qū)。其中，三星半導(dǎo)體西安工廠，是該公司唯一的海外內(nèi)存半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，于2014年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，并在2020年增建第二座工廠后，主要以生產(chǎn)128層堆疊NAND Flash閃存為主，月產(chǎn)能達(dá)20萬(wàn)片12寸晶圓，占三星NAND Flash產(chǎn)總量的40%以上。

資料顯示，三星在中國(guó)大陸的西安、蘇州擁有存儲(chǔ)芯片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項(xiàng)目，主要制造3D NAND閃存芯片。三星中國(guó)西安工廠的第一期工程投資108.7億美元，而在2017年開(kāi)始，三星開(kāi)始展開(kāi)第二期工程，兩期工程先后共投資了150億美元。目前，三星西安工廠月產(chǎn)能將達(dá)到26.5萬(wàn)張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產(chǎn)量的42%。2022年，三星半導(dǎo)體西安工廠產(chǎn)值將突破1000億元人民幣。

編輯：芯智訊-林子