存儲(chǔ)芯片，中國(guó)什么時(shí)候能成？

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存儲(chǔ)芯片分類(lèi)概述 

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一。存儲(chǔ)芯片種類(lèi)繁多，大類(lèi)上，根據(jù)數(shù)據(jù)是否會(huì)在斷電時(shí)消失，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被分為易失性存儲(chǔ)器（Volatile memory）和非易失性存儲(chǔ)器（non-volatile memory）兩大類(lèi)。

其中，由于讀寫(xiě)速度更快，易失性存儲(chǔ)器通常被用以輔助CPU工作，即“內(nèi)存”；非易失性存儲(chǔ)器則為“外存”，主要用于存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)文件。

在內(nèi)存這個(gè)類(lèi)別中，最重要的是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），因?yàn)槠?/span>常年占據(jù)全球存儲(chǔ)類(lèi)芯片市場(chǎng)半壁江山。綜合來(lái)看，DRAM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠擁有非常高的密度，單位體積的容量較高，成本較低。再往下，領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）將DRAM定義為標(biāo)準(zhǔn)DDR、移動(dòng)DDR、圖形DDR三個(gè)類(lèi)別，分別對(duì)應(yīng)電腦內(nèi)存、手機(jī)運(yùn)存、顯卡顯存。

與DRAM相對(duì)的是SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），兩者的存儲(chǔ)原理、結(jié)構(gòu)不同，特性完全相反。除了能夠應(yīng)用在緩存中，SRAM一般還會(huì)用在FPGA內(nèi)，不過(guò)SRAM價(jià)格昂貴，全球市場(chǎng)規(guī)模占比也始終較小。在過(guò)去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化，DRAM和SRAM各有專(zhuān)長(zhǎng)，可以適用不同應(yīng)用場(chǎng)景。

在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域，持續(xù)涌現(xiàn)新技術(shù)，目前技術(shù)成熟且擁有一定規(guī)模市場(chǎng)的外存共有三種：NAND Flash、NOR Flash、EEPROM。其中，市場(chǎng)規(guī)模最大的是NAND Flash。

NAND Flash屬于數(shù)據(jù)型閃存芯片，可以實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)、高寫(xiě)入和擦除速度，多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。擁有SLC、MLC、TLC、QLC四種不同存儲(chǔ)技術(shù)，依次代表每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)分別為1位、2位、3位與4位。其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同兩個(gè)賽道，因?yàn)镾LC技術(shù)較老但壽命、可靠性最優(yōu)的。從SLC到QLC，存儲(chǔ)密度逐步提升，單位比特（Bit）成本隨之降低。但相對(duì)的，性能、功耗、可靠性與P/E循環(huán)（擦寫(xiě)循環(huán)次數(shù)，即壽命）會(huì)下降。

目前提升NAND Flash性能的技術(shù)路徑有兩個(gè)：其一，提升制程節(jié)點(diǎn)；其二，通過(guò)縱向疊加NAND Flash層數(shù)獲取高密度和大容量，即3D NAND Flash。一般來(lái)說(shuō)，SSD固態(tài)硬盤(pán)、U盤(pán)、手機(jī)閃存、SD卡均屬大容量3D NAND Flash范疇。

NAND Flash和DRAM占據(jù)了全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的超九成，是最具代表性的存儲(chǔ)產(chǎn)品，其行情變動(dòng)具有風(fēng)向標(biāo)意義。

NOR Flash屬于代碼型閃存芯片，用來(lái)存儲(chǔ)代碼及部分?jǐn)?shù)據(jù)，是終端電子產(chǎn)品種不可或缺的重要元器件，具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性高、讀取速度快、可執(zhí)行代碼等特性，在中低容量應(yīng)用時(shí)具備性能和成本上的優(yōu)勢(shì)。

EEPROM則是一種支持電可擦除和即插即用的非易失性存儲(chǔ)器，具有體積小、接口簡(jiǎn)單、數(shù)據(jù)保存可靠、可在線改寫(xiě)、功耗低等特點(diǎn)。

新型存儲(chǔ)器方面，目前主要有4種，分別是：阻變存儲(chǔ)器（ReRAM/RRAM）、相變存儲(chǔ)器（PCRAM）、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM/FRAM）、磁性存儲(chǔ)器（MRAM，第二代為STT-RAM）。據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)2026年新型存儲(chǔ)器在全球市場(chǎng)份額的占比將上升到3%[1]。

資料來(lái)源：Yole，果殼硬科技

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存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈概述

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上下游概述

由于布圖設(shè)計(jì)與晶圓制造的技術(shù)結(jié)合緊密，目前主流存儲(chǔ)廠商三星、美光、SK海力士等仍采用 IDM 的經(jīng)營(yíng)模式。一款存儲(chǔ)產(chǎn)品的上市，需要經(jīng)過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈的多個(gè)環(huán)節(jié)。首先，在晶圓制造環(huán)節(jié)，存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，出品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面技術(shù)規(guī)格上也趨同。不過(guò)，在應(yīng)用上，終端客戶由于需求場(chǎng)景不同，在容量、帶寬、時(shí)延、壽命、尺寸、性?xún)r(jià)比等方面需要的技術(shù)規(guī)格相異，因此存儲(chǔ)原廠完成晶圓制造后，仍需開(kāi)發(fā)大量應(yīng)用技術(shù)以實(shí)現(xiàn)從標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓到具體存儲(chǔ)產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。由于以上的產(chǎn)業(yè)特征，部分存儲(chǔ)原廠憑借晶圓優(yōu)勢(shì)向下游存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域滲透同時(shí)，無(wú)晶圓制造的存儲(chǔ)器廠商/獨(dú)立的存儲(chǔ)器供應(yīng)商/存儲(chǔ)模組供應(yīng)商應(yīng)運(yùn)而生[2]。

其中，存儲(chǔ)晶圓廠商憑借 IDM 模式向下游存儲(chǔ)器產(chǎn)品領(lǐng)域滲透，其競(jìng)爭(zhēng)重心在于創(chuàng)新晶圓IC設(shè)計(jì)、提升晶圓制程和市場(chǎng)占有率，在應(yīng)用領(lǐng)域主要聚焦通用化、標(biāo)準(zhǔn)化的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，重點(diǎn)服務(wù)智能手機(jī)、個(gè)人電腦及服務(wù)器等行業(yè)的頭部客戶。除了這些通用型存儲(chǔ)器應(yīng)用外，仍存在極為廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和市場(chǎng)需求，包括細(xì)分行業(yè)存儲(chǔ)需求（如工業(yè)控制、商用設(shè)備、汽車(chē)電子、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等）以及主流應(yīng)用市場(chǎng)里中小客戶的需求。

無(wú)晶圓制造的存儲(chǔ)器廠商面向下游細(xì)分行業(yè)客戶的具體需求，進(jìn)行介質(zhì)晶圓特性研究與選型、主控芯片選型與定制、固件開(kāi)發(fā)、封裝設(shè)計(jì)與制造、芯片測(cè)試等，并提供后端的技術(shù)支持，將標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓轉(zhuǎn)化為千端千面的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，推動(dòng)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)晶圓的產(chǎn)品化和商業(yè)化，在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈扮演承上啟下的重要角色[3]。

資料來(lái)源：江波龍招股書(shū)、網(wǎng)上公開(kāi)資料

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)一覽

資料來(lái)源：果殼硬科技、企業(yè)官網(wǎng) 

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存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模概述

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)數(shù)據(jù)，2023年第三季度，全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收134.8億美元。其中，三星仍是全球最大的DRAM 供應(yīng)商，銷(xiāo)售額達(dá)到近52.5億美元，占全球市場(chǎng)份額的38.9%；SK海力士位列第二，DRAM 銷(xiāo)售額為46.26億美元，占據(jù)全球34.3%市場(chǎng)份額；美光是全球第三大DRAM供應(yīng)商，銷(xiāo)售額為30.75億美元，全球占比22.8%。DRAM賽道的頭三位玩家吃掉了全球DRAM市場(chǎng)96%的份額。

圖源：TrendForce集邦咨詢(xún)

在國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的細(xì)分領(lǐng)域中，DRAM是最需要攻堅(jiān)的一環(huán)。目前，在DRAM賽道上，有相應(yīng)產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)芯企包括長(zhǎng)/鑫存儲(chǔ)、紫光國(guó)芯、福建晉華、東芯半導(dǎo)體、北京君正。

中國(guó)DRAM技術(shù)與國(guó)外企業(yè)相比，大致落后5-6年，且技術(shù)差距還在擴(kuò)大之中。目前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商的DRAM產(chǎn)品尚處于DDR4時(shí)代，而三星、SK海力士、美光在近兩年都相繼宣布DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功。

與DRAM相比，SRAM市場(chǎng)規(guī)模極小。據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022-2027年中國(guó)SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示，2021年，全球SRAM市場(chǎng)規(guī)模約為4億美元。2022年，北京君正的SRAM產(chǎn)品收入在全球市場(chǎng)中位居第二位。據(jù)悉，北京君正擁有的SRAM 產(chǎn)品品類(lèi)豐富，從傳統(tǒng)的 Synch SRAM、Asynch SRAM 產(chǎn)品到行業(yè)前沿的高速 QDR SRAM 產(chǎn)品均擁有自主研發(fā)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)數(shù)據(jù)，2023年第三季度，全球NAND Flash市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約92.29億美元。其中，排名前三的分別是三星、SK海力士和西部數(shù)據(jù)，分別占據(jù)全球NaND Flash市場(chǎng)31.4%、20.2%和16.9%的份額。另外，鎧俠和美光分別占據(jù)14.5%和12.5%的市場(chǎng)份額，位列第四和第五。相較DRAM，NAND Flash的市場(chǎng)集中度沒(méi)那么高，前三的存儲(chǔ)廠商占據(jù)68.5%市場(chǎng)份額，前五的存儲(chǔ)廠商占據(jù)96%的市場(chǎng)份額。

圖源：TrendForce集邦咨詢(xún)

技術(shù)路線方面，主要存儲(chǔ)原廠在激烈競(jìng)爭(zhēng)中不斷提升NAND Flash存儲(chǔ)密度。三星電子 2013年率先開(kāi)發(fā)出可商業(yè)應(yīng)用的24層3D NAND，2022年，各大NAND Flash廠商競(jìng)相將3D堆疊的層數(shù)推到200層以上。其中，SK海力士在2022年8月宣布成功研發(fā)了238層NAND閃存；2022年11月，三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其236層3D NAND 閃存芯片，也就是第8V-NAND。2022年12月，美光宣布232層NAND客戶端SSD正式出貨。

在NAND Flash賽道，長(zhǎng)/江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)鮮有的可與國(guó)際廠商同臺(tái)競(jìng)技的企業(yè)。據(jù)悉，其于2018年發(fā)布其研發(fā)的3D NAND獨(dú)家技術(shù)Xtacking，隨后分別于2018年和2019年第三季度分別實(shí)現(xiàn)32層和64層3D NAND 量產(chǎn)，并在2020年推出128層QLC 3D NAND 閃存。截至2020年末長(zhǎng)/江存儲(chǔ)取得全球接近1%市場(chǎng)份額，成為五大國(guó)際原廠以外市場(chǎng)份額最大的NAND Flash晶圓原廠。不過(guò)，由于眾所周知的原因，目前發(fā)展充滿挑戰(zhàn)。

目前，占據(jù)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)九成以上份額的DRAM和NAND Flash賽道，都呈現(xiàn)高度壟斷且相對(duì)穩(wěn)定的局面，早已入局的巨頭豎起重重高墻，后發(fā)者難以取得突破。

不過(guò)，在大廠基本退出的中小容量EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商呈現(xiàn)出“做大做強(qiáng)”之勢(shì)。在EEPROM領(lǐng)域，賽迪顧問(wèn)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，2019年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)聚辰半導(dǎo)體拿下EEPROM全球市場(chǎng)的9.9%份額，占比排名第三，僅次于意法半導(dǎo)體（31%）和微芯科技（22.1%）。

聚辰半導(dǎo)體在2022年年報(bào)中表示，在工業(yè)級(jí)EEPROM領(lǐng)域，目前公司已在智能手機(jī)攝像頭、液晶面板、計(jì)算機(jī)及周邊等細(xì)分領(lǐng)域奠定了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)；在汽車(chē)級(jí)EEPROM領(lǐng)域，公司整體規(guī)模和市場(chǎng)份額目前與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手尚存在一定差距。在NOR Flash領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新是全球排名第三的NOR Flash公司，全球市場(chǎng)份額超過(guò)20%，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)、工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。此外，兆易創(chuàng)新表示，致力于成為具有全系列 NOR Flash 產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商，2023年，公司NOR Flash產(chǎn)品將繼續(xù)推進(jìn)新工藝制程迭代，助力大容量產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步提升。在SLC NAND Flash領(lǐng)域，IT研究與顧問(wèn)咨詢(xún)公司Gartner數(shù)據(jù)表示，2021年SLC NAND 全球市場(chǎng)規(guī)模為21.37億美元。目前，鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業(yè)在該領(lǐng)域占據(jù)較高的市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域發(fā)力的存儲(chǔ)企業(yè)包括東芯半導(dǎo)體、兆易創(chuàng)新、復(fù)旦微電等。

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2023年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)行情概述

2022年，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)轉(zhuǎn)向周期下行。據(jù)閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售規(guī)模為1629億美元，同比增長(zhǎng)31%；2022年，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模下降15%，結(jié)束了連續(xù)兩年的上漲，其中NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模大概是600億美元，DRAM市場(chǎng)規(guī)模約為790億美元。從全球市場(chǎng)總生產(chǎn)量來(lái)看，2022年全球NAND總生產(chǎn)量達(dá)到6100億GB當(dāng)量，DRAM則約為1900億GB當(dāng)量，漲幅分別是6%和2%，創(chuàng)歷史新低。

2023年則延續(xù)2022年的市場(chǎng)跌勢(shì)。2023年第一季度，NAND市場(chǎng)極其疲弱的狀況仍然持續(xù)，需求疲軟以及供應(yīng)商和OEM存貨居高不下，導(dǎo)致bit出貨量和平均售價(jià)下滑。因多家供應(yīng)商的平均售價(jià)大幅下降以及存貨減記，所有NAND供應(yīng)商在2023年第一季度都出現(xiàn)運(yùn)營(yíng)虧損[4]。

為了減緩跌價(jià)趨勢(shì)，2023年存儲(chǔ)原廠繼續(xù)加大減產(chǎn)力度。其中，美光6月底進(jìn)一步擴(kuò)大DRAM和NAND減產(chǎn)幅度至近三成；SK海力士7月底再將NAND Flash減產(chǎn)幅度下修5~10%；三星電子也于去年四月宣布加入減產(chǎn)行列，表示“正在大幅降低存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量”。

轉(zhuǎn)入2023年四季度，存儲(chǔ)市場(chǎng)陸續(xù)有部分產(chǎn)品報(bào)價(jià)拉漲的消息傳來(lái)，閃存市場(chǎng)報(bào)價(jià)也連續(xù)數(shù)周顯示部分產(chǎn)品尤其N(xiāo)AND行情升溫，漲價(jià)行情甚至從NAND蔓延至DRAM。不過(guò)，閃存市場(chǎng)分析表示，此輪漲價(jià)行情乃基于供應(yīng)端減產(chǎn)漲價(jià)所致，終端的實(shí)際需求仍不夠清晰，在終端需求明顯回暖前，市況會(huì)受備貨動(dòng)作的影響呈忽冷忽熱的波動(dòng)。不過(guò)存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入復(fù)蘇周期，預(yù)計(jì)會(huì)在持續(xù)博弈中走出行情低谷。

從長(zhǎng)期來(lái)看，隨著第四季度庫(kù)存持續(xù)出清，供需關(guān)系得到改善，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望逐步復(fù)蘇。此外，新能源汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和安防電子等新興領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展將持續(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。目前，應(yīng)用方面，智能手機(jī)、個(gè)人電腦、服務(wù)器市場(chǎng)雖然在下滑，但依舊是三大主力應(yīng)用。其中，數(shù)據(jù)中心已成為存儲(chǔ)器的必爭(zhēng)之地，2020年~2025年全球數(shù)據(jù)量保持20%的年復(fù)合增長(zhǎng)率，其中企業(yè)級(jí)eSSD為9%，而數(shù)據(jù)中心利用率將從2020年的20%提升至55%。

同時(shí)，在汽車(chē)智能化升級(jí)、算力演進(jìn)提升下，不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量要求汽車(chē)存儲(chǔ)芯片具有更快的數(shù)據(jù)處理速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量，這將推動(dòng)汽車(chē)成為存儲(chǔ)未來(lái)增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)之一，預(yù)計(jì)汽車(chē)存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模到2030年將超過(guò)200億美元。

這些應(yīng)用領(lǐng)域及終端產(chǎn)品的快速發(fā)展將進(jìn)一步帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求的不斷增加，廣闊的新興市場(chǎng)為行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展契機(jī)。Yole表示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)有望卷土重來(lái)，預(yù)計(jì)到2025 年將實(shí)現(xiàn)2000億美元收入[4]。

此外，值得一提的是，去年以來(lái)，生成式人工智能的浪潮席卷全球，帶動(dòng)AI芯片需求大漲同時(shí)，面向AI服務(wù)器的存儲(chǔ)器需求以及AI存儲(chǔ)芯片需求也跟著水漲船高。其中，SK海力士得益于2023年第四季度DDR5 DRAM和HBM3的銷(xiāo)售額分別比上年同期增長(zhǎng)了4倍和5倍以上，結(jié)束了持續(xù)一年的營(yíng)業(yè)虧損，實(shí)現(xiàn)當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)扭虧為盈。對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，這也是復(fù)蘇的有力信號(hào)。

展望2024年市場(chǎng)行情，TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為在市場(chǎng)需求展望仍保守的前提下，DRAM和NAND Flash產(chǎn)品的價(jià)格****均取決于供應(yīng)商產(chǎn)能利用率情況。其中，對(duì)于第一季價(jià)格趨勢(shì)，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)測(cè)，DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%；NAND Flash則是18-23%。 

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國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片代表企業(yè)及產(chǎn)品選型攻略 

深圳康盈半導(dǎo)體科技有限公司

深圳康盈半導(dǎo)體科技有限公司系康佳集團(tuán)旗下子公司，是集團(tuán)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。公司專(zhuān)注于嵌入式存儲(chǔ)芯片、模組、移動(dòng)存儲(chǔ)等產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售。主要產(chǎn)品涵蓋eMMC、eMMC工業(yè)級(jí)、Small PKG. eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、內(nèi)存條等。廣泛應(yīng)用于智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)通信、工控設(shè)備、車(chē)載電子、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域。

KOWIN Small PKG. eMMC嵌入式存儲(chǔ)芯片

KOWIN Small PKG.eMMC嵌入式存儲(chǔ)芯片，體積更小，功耗更低。符合JEDEC eMMC5.1規(guī)范，并支持HS400高速模式。采用153Ball封裝，打造9mmx7.5mmx0.8mm的超小尺寸，另外還有8mm x8.5mm x 0.8mm 和7mmx12.5mmx0.74mm尺寸可供選擇，較normal eMMC體積更小，減少PCB板占用空間，適用于小/微型化智能終端設(shè)備。

最高容量32GB，且性能優(yōu)異，數(shù)據(jù)讀取速度高達(dá)280MB/s，寫(xiě)入速度高達(dá)150MB/s，滿足終端小體積、大容量、高性能應(yīng)用需求。采用高性能閃存，保障系統(tǒng)操作的流暢性穩(wěn)定性。智能省電模式，有效提升終端設(shè)備續(xù)航能力，助力智能手環(huán)、智能手表、智能耳機(jī)等終端應(yīng)用微型化、低功耗設(shè)計(jì)。

KOWIN ePOP嵌入式存儲(chǔ)芯片

KOWIN ePOP嵌入式存儲(chǔ)芯片，集成eMMC和LPDDR，采用在主芯片上（package on package）貼片的封裝方式，節(jié)省PCB占用空間，進(jìn)一步精簡(jiǎn)產(chǎn)品尺寸。目前容量組合有8GB+8Gb、16GB+8Gb、32GB+8Gb、32GB+16Gb，最小厚度僅有0.8mm，并搭配低功耗模式，有效提升終端設(shè)備的續(xù)航能力。其中，NAND Flash采用高性能閃存芯片，順序讀取速度最高可達(dá)290MB/s，順序?qū)懭胨俣茸罡呖蛇_(dá)200MB/s，DRAM速率最高可達(dá)4266Mbps。將性能、耐用性、穩(wěn)定性的平衡得恰到好處，實(shí)現(xiàn)1+1大于2的效果。

ePOP滿足設(shè)備對(duì)于儲(chǔ)存及緩存數(shù)據(jù)需求，面對(duì)集成度較高的設(shè)備，均能輕松面對(duì)，更適用于智能穿戴、教育電子等對(duì)小型化、低功耗有更高要求的終端應(yīng)用。

KOWIN nMCP嵌入式存儲(chǔ)芯片

智慧物聯(lián)核芯小精靈—KOWIN nMCP嵌入式存儲(chǔ)芯片，采用先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和領(lǐng)先的晶圓封測(cè)技術(shù)，包括晶圓研磨，疊層和引線鍵合技術(shù)等，極大程度地降低了存儲(chǔ)芯片的厚度，最小厚度僅為0.8mm。該系列芯片集成了 SLC NAND 和 LPDDR4X，可減少系統(tǒng) PCB 設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)時(shí)間。容量組合包括 4Gb+2Gb、4Gb+4Gb和8Gb+4Gb , 滿足多種容量組合需求。該系列芯片中NAND電壓1.8V，DRAM電壓為1.8V/1.1V/0.6V，符合低功耗產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，可兼容各大主流平臺(tái)。LPDDR4X傳輸速率高達(dá)3,733Mbps，性能優(yōu)異，提高系統(tǒng)運(yùn)行的流暢性。產(chǎn)品均通過(guò)嚴(yán)格的可靠性測(cè)試，有效保障數(shù)據(jù)信息安全和持久性，可滿足產(chǎn)品的100,000次壽命擦除和10年數(shù)據(jù)保持能力要求。同時(shí)nMCP系列芯片具有體積小、功耗低、速度快、低延時(shí)、壽命長(zhǎng)等諸多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)模塊、通信模塊等領(lǐng)域。

深圳市江波龍電子股份有限公司

深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“江波龍”）成立于1999年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體存儲(chǔ)應(yīng)用產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷(xiāo)售。江波龍主要聚焦于存儲(chǔ)產(chǎn)品和應(yīng)用，形成固件算法開(kāi)發(fā)、存儲(chǔ)芯片測(cè)試、封測(cè)設(shè)計(jì)與制造、存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)等核心競(jìng)爭(zhēng)力，為市場(chǎng)提供消費(fèi)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)、工規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器以及行業(yè)存儲(chǔ)軟硬件應(yīng)用解決方案。

江波龍已形成嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、移動(dòng)存儲(chǔ)及內(nèi)存條四大產(chǎn)品線，擁有行業(yè)類(lèi)存儲(chǔ)品牌FORESEE和國(guó)際高端消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)品牌Lexar（雷克沙）。存儲(chǔ)器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、智能電視、平板電腦、計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等行業(yè)以及個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。

FORESEE XP2200 BGA SSD

XP2200 BGA SSD采用PCle Gen4×2接口規(guī)范與NVMe Express Revision 1.4協(xié)議，順序讀寫(xiě)性能最高可達(dá)3500MB/s、3400MB/s，隨機(jī)讀寫(xiě)性能最高可達(dá)678K IOPS、566K IOPS，目前容量提供128GB、256GB、512GB、1TB選擇，可支持-25～85℃、0～70℃兩種工作溫度方案，以及LDPC、智能溫控等功能，主要應(yīng)用于2 in 1電腦、超薄筆記本、VR虛擬現(xiàn)實(shí)、智能汽車(chē)、游戲娛樂(lè)領(lǐng)域。

FORESEE車(chē)規(guī)級(jí)UFS

FORESEE推出的中國(guó)大陸首款車(chē)規(guī)級(jí)UFS，涵蓋64GB/128GB兩個(gè)主流容量，工作溫度為-40℃～105℃（Grade2），并通過(guò)AEC-Q100可靠性標(biāo)準(zhǔn)。FORESEE 車(chē)規(guī)級(jí)UFS采用原廠車(chē)規(guī)級(jí)資源和高品質(zhì)器件，配合江波龍自研固件算法，以及嚴(yán)苛的可靠性標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證測(cè)試，能夠有效確保產(chǎn)品在-40℃~105℃的高低溫下長(zhǎng)期、穩(wěn)定、可靠運(yùn)行的同時(shí)，保障數(shù)據(jù)安全。

深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司

深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“佰維存儲(chǔ)”）成立于2010年，專(zhuān)注于存儲(chǔ)芯片研發(fā)與封測(cè)制造，是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新小巨人企業(yè)。

佰維存儲(chǔ)圍繞半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈，構(gòu)筑了研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式，在存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、固件算法開(kāi)發(fā)、存儲(chǔ)芯片封測(cè)、測(cè)試研發(fā)、全球品牌運(yùn)營(yíng)等方面具有核心競(jìng)爭(zhēng)力，并積極布局芯片IC設(shè)計(jì)、先進(jìn)封測(cè)、芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域。

佰維GP303固態(tài)硬盤(pán)

GP303選用工業(yè)級(jí)主控IC和工業(yè)級(jí)NAND，采用優(yōu)化升級(jí)的硬件設(shè)計(jì)方案、先進(jìn)的閃存管理固件算法，歷經(jīng)3000余項(xiàng)測(cè)試用例，并結(jié)合佰維存儲(chǔ)先進(jìn)制造能力，產(chǎn)品兼具高可靠、長(zhǎng)壽命、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，尤其適用于高低溫、異常斷電、潮濕、震動(dòng)和沖擊等惡劣環(huán)境下的系統(tǒng)運(yùn)行、數(shù)據(jù)保存等應(yīng)用場(chǎng)景。

佰維LPDDR4X工業(yè)級(jí)寬溫存儲(chǔ)芯片

佰維LPDDR4X工業(yè)級(jí)寬溫存儲(chǔ)芯片采用高品質(zhì)DRAM顆粒，采用超薄先進(jìn)封裝，在提供超快速度的同時(shí)，能夠加快多任務(wù)處理速度并優(yōu)化用戶體驗(yàn)，結(jié)合業(yè)內(nèi)先進(jìn)的測(cè)試機(jī)臺(tái)保證了每顆產(chǎn)品都經(jīng)歷嚴(yán)苛的測(cè)試；結(jié)合佰維存儲(chǔ)先進(jìn)制造測(cè)試能力，產(chǎn)品兼具高可靠、高性能、高耐用、長(zhǎng)壽命等特點(diǎn)，容量覆蓋從2GB~8GB，主要面向工業(yè)類(lèi)細(xì)分市場(chǎng)，寬溫工作能力達(dá)-40~85℃。

深圳市宏旺微電子有限公司

深圳市宏旺微電子有限公司成立于2004年，是一家專(zhuān)注于存儲(chǔ)芯片（國(guó)家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)）設(shè)計(jì)、研發(fā)、封裝、測(cè)試、銷(xiāo)售服務(wù)的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。擁有多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，致力為全球客戶提供FLASH和DRAM相關(guān)存儲(chǔ)產(chǎn)品，如嵌入式存儲(chǔ)(eMMC、eMCP、LPDDR、SPI NAND）等，總部位于深圳南山華僑城，在中國(guó)香港、韓國(guó)、美國(guó)、新加坡等地設(shè)有辦事機(jī)構(gòu)。

全資子公司諾思特半導(dǎo)體位于汕尾陸豐市，依托宏旺技術(shù)積累和研發(fā)能力，提供存儲(chǔ)芯片封裝、測(cè)試、產(chǎn)品制造一站式服務(wù)。

IMD512M16R4FCD8TB

該產(chǎn)品體積小、輕薄，最大可存儲(chǔ)512×16的數(shù)據(jù)。低能耗、高效能，無(wú)論使用智能終端游戲、辦公、還是基于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的海量數(shù)據(jù)，都能減少發(fā)熱引起的降頻現(xiàn)象。具備3200Mbps的工作頻率，能夠以出色的速度傳輸數(shù)據(jù)，更高的數(shù)據(jù)帶寬，更快、更輕松處理大量工作負(fù)載。具有內(nèi)糾錯(cuò)碼（ECC）功能，提高了數(shù)據(jù)可靠性并減少了系統(tǒng)糾錯(cuò)負(fù)擔(dān)，存儲(chǔ)更靠譜。

上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司

上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“復(fù)旦微電”）是國(guó)內(nèi)從事超大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)（測(cè)試）和提供系統(tǒng)解決方案的專(zhuān)業(yè)公司。公司于1998年7月創(chuàng)辦，并于2000年在中國(guó)香港上市，2014年轉(zhuǎn)香港主板，是國(guó)內(nèi)成立最早、首家上市的股份制集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。2021年登陸上交所科創(chuàng)板，形成“A+H”資本格局。 

復(fù)旦微電現(xiàn)已建立健全安全與識(shí)別芯片、非揮發(fā)存儲(chǔ)器、智能電表芯片、FPGA芯片和集成電路測(cè)試服務(wù)等產(chǎn)品線。產(chǎn)品行銷(xiāo)30多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，廣泛應(yīng)用于金融、社保、汽車(chē)電子、城市公共交通、電子證照、移動(dòng)支付、防偽溯源、智能手機(jī)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、信號(hào)處理、智能計(jì)算等眾多領(lǐng)域。

FM25S01BI3

產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，通過(guò)優(yōu)化編擦、擦除、回讀算法， 滿足6-8萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。

FM25S01BI3產(chǎn)品特點(diǎn)存儲(chǔ)器容量：1Gbit，工作電壓范圍：2.7V/3.6V，工作溫度范圍：-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃，SPI高速單/雙/四口：104MHz(3.3V)，支持內(nèi)置8 bit ECC，滿足客戶Error-Free。擦寫(xiě)次數(shù)：6-8萬(wàn)次，Data Retention：10年。封裝支持TDFN5X6/TDFN6X8等多種封裝形式。

東芯半導(dǎo)體股份有限公司

東芯半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芯半導(dǎo)體”）成立于2014年，總部位于上海，在深圳、南京、中國(guó)香港、韓國(guó)均設(shè)有分公司或子公司。

作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。

SLC NAND Flash

東芯半導(dǎo)體聚焦平面型 SLC NAND Flash的設(shè)計(jì)與研發(fā)，主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)容量覆蓋 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類(lèi)型接口，搭配 3.3V/1.8V兩種電壓，可滿足客戶在不同應(yīng)用領(lǐng)域及應(yīng)用場(chǎng)景的需求。NAND Flash 產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，將存儲(chǔ)陣列、ECC 模塊與接口模塊統(tǒng)一集成在同一芯片內(nèi)。同時(shí)產(chǎn)品在耐久性、數(shù)據(jù)保持特性等方面表現(xiàn)穩(wěn)定，不僅在工業(yè)溫控標(biāo)準(zhǔn)下單顆芯片擦寫(xiě)次數(shù)已經(jīng)超過(guò) 10 萬(wàn)次，同時(shí)可在-40℃-105℃的極端環(huán)境下保持?jǐn)?shù)據(jù)有效性長(zhǎng)達(dá) 10 年，已有產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100測(cè)試，可靠性逐步從工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)向車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)邁進(jìn)。

聚辰半導(dǎo)體股份有限公司

聚辰半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚辰半導(dǎo)體”）于2009年成立于上海張江，2019年登陸上交所科創(chuàng)板，是一家全球化的芯片設(shè)計(jì)高新技術(shù)企業(yè)，在美國(guó)硅谷、中國(guó)香港、中國(guó)臺(tái)灣、深圳、南京、蘇州等地區(qū)設(shè)有子公司、辦事處或銷(xiāo)售機(jī)構(gòu)，客戶遍布全球。

聚辰半導(dǎo)體曾獲評(píng)2020年十大中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司、2021年度上海市經(jīng)信委“專(zhuān)精特新”企業(yè)、2022年度國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)，并被國(guó)家發(fā)改委、工信部列入國(guó)家鼓勵(lì)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)清單。

GT25Q40D

GT25Q40D是聚辰半導(dǎo)體基于獨(dú)具特色的NORD工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的NOR Flash芯片，具備高可靠性和快速擦除性能，廣泛應(yīng)用于PC CAM、USB-TypeC、高端WIFI BLE 模組及新能源汽車(chē)BMS等領(lǐng)域，在功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度、LU、ESD等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)際前沿水平。

GT25D20E

GT25D20E是聚辰半導(dǎo)體基于獨(dú)具特色的NORD工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的NOR Flash芯片，支持DUAL SPI接口，廣泛應(yīng)用于車(chē)載攝像頭、BLE藍(lán)牙物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域，在功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度、LU、ESD等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)際前沿水平。

普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司

普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“普冉半導(dǎo)體”）是業(yè)內(nèi)排名前列的存儲(chǔ)器芯片及其衍生芯片供應(yīng)商。自2016年成立以來(lái)，普冉半導(dǎo)體一直專(zhuān)注于非易失性存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)創(chuàng)新，形成了以NOR Flash和EEPROM為核心的存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品矩陣，并基于存儲(chǔ)器技術(shù)優(yōu)勢(shì)，推出“存儲(chǔ)+”規(guī)劃和長(zhǎng)期戰(zhàn)略，積極拓展通用微控制器和存儲(chǔ)結(jié)合模擬的全新產(chǎn)品線。

Flash存儲(chǔ)器芯片P25Q32SN

P25Q32SN是業(yè)界首家1.1V 6.5uW/Mbit新一代領(lǐng)先工藝、超低電壓超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存儲(chǔ)器芯片。P25Q32SN支持1.1V電源系統(tǒng)，具備寬電壓范圍1.05V~2.00V，可涵蓋1.1V、1.2V和1.8V AIOT系統(tǒng)；超低功耗，1.1V 80M STR 4IO 讀取功耗約2.86mW，80M DTR 4IO讀取功率約4.2mW；基于極低功耗，為音頻、圖像等多模態(tài)SoC智能主控芯片提供必要性存儲(chǔ)輔助，助力元宇宙的國(guó)產(chǎn)生態(tài)鏈完善。

恒爍半導(dǎo)體(合肥)股份有限公司

恒爍半導(dǎo)體(合肥)股份有限公司是專(zhuān)注先進(jìn)半導(dǎo)體閃存芯片 (NOR Flash) 和微處理器 (MCU)工藝研發(fā)、芯片設(shè)計(jì)和產(chǎn)品銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)，于2022年8月在上交所科創(chuàng)板上市。公司在合肥、蘇州和上海設(shè)有研發(fā)中心，在深圳等城市設(shè)有銷(xiāo)售及技術(shù)支持服務(wù)中心。銷(xiāo)售渠道遍布中國(guó)（含中國(guó)香港、中國(guó)臺(tái)灣）、韓國(guó)、日本、以色列、中東等國(guó)家和地區(qū)。

5Xnm NOR FLASH

恒爍5Xnm NOR Flash實(shí)現(xiàn)對(duì)1.65V-2V低電壓、2.3V-3.6V高電壓、1.65V-3.6V寬電壓全覆蓋，具有更好的高溫性能（支持105℃），超快的讀取頻率（最高單線CLK 133Mhz，4線532Mhz），支持OTP及擦除過(guò)程掛起功能，能更好的滿足客戶需要，已在手機(jī)、智能穿戴、電視機(jī)、智能電表、安防產(chǎn)品等下游終端獲得廣泛應(yīng)用，截至目前，已累計(jì)出貨數(shù)十億顆。

合肥大唐存儲(chǔ)科技有限公司

合肥大唐存儲(chǔ)科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“大唐存儲(chǔ)”），長(zhǎng)期致力于存儲(chǔ)控制器芯片及安全固件的研發(fā)，并提供技術(shù)先進(jìn)的安全存儲(chǔ)解決方案，同時(shí)，大唐存儲(chǔ)擁有自主IC設(shè)計(jì)能力和底層固件研發(fā)能力，可根據(jù)用戶不同的行業(yè)需求進(jìn)行差異化定制服務(wù)。

產(chǎn)品上，大唐存儲(chǔ)核心主控在存儲(chǔ)行業(yè)國(guó)際首家通過(guò)EAL5+，首家通過(guò)國(guó)密芯片二級(jí)，首家通過(guò)金融存儲(chǔ)芯片增強(qiáng)級(jí)檢測(cè)。產(chǎn)品分為企業(yè)級(jí)、商業(yè)級(jí)和安全加密級(jí)固態(tài)硬盤(pán)，可應(yīng)用于政務(wù)、金融、電信、能源、交通、醫(yī)療等行業(yè)領(lǐng)域。

DSS510芯片

DSS510芯片，采用28nm工藝制程，4核12通道、支持SATA和PCIe3.0接口，支持國(guó)密算法SM2/SM3/SM4；結(jié)合大唐存儲(chǔ)自研超聚合安全存儲(chǔ)技術(shù)，將金融級(jí)安全防護(hù)技術(shù)應(yīng)用于固態(tài)存儲(chǔ)控制器，實(shí)現(xiàn)多芯片合一，在加解密過(guò)程中不影響主控性能，使相關(guān)產(chǎn)品綜合性能大幅提升。在存儲(chǔ)行業(yè)國(guó)際首家通過(guò)EAL5+，獲國(guó)密二級(jí)、金融增強(qiáng)級(jí)芯片檢測(cè)，產(chǎn)品獲得自主原創(chuàng)設(shè)計(jì)證書(shū)，性能可達(dá)到國(guó)際大廠水平。

北京憶芯科技有限公司

北京憶芯科技有限公司為國(guó)內(nèi)較早從事高性能固態(tài)硬盤(pán)主控芯片研發(fā)的企業(yè)，致力于成為賦能大數(shù)據(jù)應(yīng)用的芯片全球領(lǐng)導(dǎo)者。經(jīng)過(guò) 8 年的發(fā)展，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高端 PCle SSD主控芯片和成品盤(pán)供應(yīng)商，業(yè)務(wù)方向覆蓋消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)和企業(yè)級(jí)，為各行業(yè)的信息化發(fā)展提供高質(zhì)量芯片級(jí)底層保障。目前已成功完成4款SSD 主控芯片的流片，并通過(guò)百萬(wàn)量級(jí)的市場(chǎng)出貨驗(yàn)證，得到了眾多大廠客戶的充分認(rèn)可。

STAR2000E

STAR2000E是憶芯科技自研的PCle4.0高性能企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)，搭載憶芯STAR2000新一代PCle4.0高端企業(yè)級(jí)SSD主控芯片。支持Gen4.0*4或雙端 Gen4.0*2接口，支持NVMe2.0協(xié)議，支持ZNS/NVMe Set/KV等先進(jìn)企業(yè)級(jí)功能。提供強(qiáng)大穩(wěn)態(tài)順序讀寫(xiě)和隨機(jī)讀寫(xiě)性能，具有業(yè)界領(lǐng)先的憶芯第4代LDPC糾錯(cuò)算法，支持3DWPD和1DWPD的耐久性，保證數(shù)據(jù)可靠性。主要面向數(shù)據(jù)中心、存儲(chǔ)服務(wù)器、云計(jì)算等市場(chǎng)，為企業(yè)級(jí)高性能應(yīng)用和功耗控制需求提供超高能效比。

芯盛智能科技有限公司

芯盛智能科技有限公司是領(lǐng)先的固態(tài)存儲(chǔ)控制器芯片及解決方案提供商。公司以自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)為根基，推出全球首款基于RISC-V架構(gòu)的PCle4.0控制器、根據(jù)商密一級(jí)安全標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的PCle3.0控制器、企業(yè)級(jí)SATA3.0控制器及數(shù)十款固態(tài)存儲(chǔ)解決方案，產(chǎn)品覆蓋數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算、工業(yè)控制、消費(fèi)類(lèi)終端和汽車(chē)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。憑借雄厚的技術(shù)研發(fā)實(shí)力與豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)積累，芯盛智能承擔(dān)了多項(xiàng)省、市、區(qū)科研項(xiàng)目，形成多項(xiàng)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵核心技術(shù)，被評(píng)為高新技術(shù)企業(yè)、專(zhuān)精特新企業(yè)和年度質(zhì)量信用A級(jí)企業(yè)。

XT8210

XT8210采用RISC-V開(kāi)源架構(gòu)體系，前端具備PCle4.0×4高速接口，后端采用8通道閃存接口，支持NVMe1.4傳輸協(xié)議，順序讀寫(xiě)可達(dá)7000/6000MBps，4K隨機(jī)讀寫(xiě)可達(dá)1000K/900K IOPS，全面適配3D TLC和3D QLC顆粒，最大可支持16TB容量；XT8210是國(guó)內(nèi)第一款加碼安全的PCle4.0控制器芯片，通過(guò)商密二級(jí)認(rèn)證，支持4K LDPC、RAID+、E2E、RAM ECC等，性能業(yè)界領(lǐng)先，因其出色的性能，已被應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心、高性能桌面機(jī)等場(chǎng)景中，得到用戶的一致好評(píng)。

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