三星否認(rèn)HBM3E質(zhì)量問題!
5月27日消息,據(jù)韓國媒體Business Korea報(bào)道稱,針對此前三星高帶寬內(nèi)存(HBM)未通過英偉達(dá)(NVIDIA)認(rèn)證是因?yàn)楣募吧釂栴}的消息,三星予以了否認(rèn)。
日前路透社引述市場人士的說法稱,三星最新的HBM芯片由于散熱和功耗問題,導(dǎo)致其尚未通過GPU大廠英偉達(dá)的測試認(rèn)證。
對此,三星發(fā)布聲明表示,“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應(yīng),努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性,也嚴(yán)格測試HBM產(chǎn)品的質(zhì)量和性能,以便為客戶提供最佳解決方案?!?/span>
據(jù)了解,三星近期開始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品,即8-Hi(24GB)和12-Hi(36GB)容量的HBM3E設(shè)備。
外媒Tom′s Hardware認(rèn)為,三星雖然聲稱最新HBM產(chǎn)品可與多種處理器正常工作,但沒明確說明能否與英偉達(dá)相關(guān)處理器配合正常工作,以及此前未能通過英偉達(dá)某方面認(rèn)證的原因是什么。
目前英偉達(dá)有多種GPU采用HBM3E內(nèi)存,包括H200及B200、B100和GB200,雖然都需要HBM3E內(nèi)存堆疊,但對功耗和散熱要求不同。因此,Tom′s Hardware猜測,三星HBM3E內(nèi)存可滿足英偉達(dá)H200、B200及AMD即將推出的Instinct MI350X的要求,但可能無法滿足Nvidia GB200要求。
編輯:芯智訊-林子
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