廣東培育“芯”賽道，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或迎變革式發(fā)展

光芯片是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)元器件，相較于集成電路展現(xiàn)出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時(shí)間延遲以及更強(qiáng)的抗電磁干擾能力，有望帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革式發(fā)展，有力支撐新一代網(wǎng)絡(luò)通信、人工智能、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

近日，廣東省政府公安廳印發(fā)《廣東省加快推動(dòng)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)方案（2024—2030年）的通知》（以下簡稱“《行動(dòng)方案》”）。

《行動(dòng)方案》提出，為加快培育發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)，力爭(zhēng)到2030年取得10項(xiàng)以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個(gè)以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競(jìng)爭(zhēng)力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設(shè)10個(gè)左右國家和省級(jí)創(chuàng)新平臺(tái)，培育形成新的千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群。

《行動(dòng)方案》從突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)、加快中試轉(zhuǎn)化進(jìn)程、建設(shè)創(chuàng)新平臺(tái)體系、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展、大力培育領(lǐng)軍企業(yè)、加強(qiáng)合作協(xié)同創(chuàng)新等六個(gè)方面提出了18項(xiàng)重點(diǎn)任務(wù)，同時(shí)，從關(guān)鍵材料裝備攻關(guān)工程、產(chǎn)業(yè)強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈建設(shè)工程、核心產(chǎn)品示范應(yīng)用工程、前沿技術(shù)產(chǎn)業(yè)培育工程等方面提出了8項(xiàng)重點(diǎn)工程。

《行動(dòng)方案》提出，強(qiáng)化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力，將鼓勵(lì)有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計(jì)算、超高速光子網(wǎng)絡(luò)、柔性光子芯片、片上光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等未來前沿科學(xué)問題開展基礎(chǔ)研究。

加大對(duì)高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長和外延工藝、核心半導(dǎo)體設(shè)備等方向的研發(fā)投入力度。同時(shí)加大“強(qiáng)芯”工程對(duì)光芯片的支持力度，將面向集成電路產(chǎn)業(yè)底層算法和架構(gòu)技術(shù)的研發(fā)補(bǔ)貼、量產(chǎn)前首輪流片獎(jiǎng)補(bǔ)等產(chǎn)業(yè)政策，擴(kuò)展至光芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件（PDA工具）、硅光MPW流片等領(lǐng)域。

此外，加快建設(shè)一批概念驗(yàn)證中心、研發(fā)先導(dǎo)線和中試線。支持企業(yè)、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導(dǎo)體、硅基（異質(zhì)異構(gòu)）集成、光電混合集成等領(lǐng)域，建設(shè)概念驗(yàn)證中心、研發(fā)先導(dǎo)線和中試線。支持中試平臺(tái)圍繞光芯片相關(guān)領(lǐng)域，向中小企業(yè)提供原型制造、質(zhì)量性能檢測(cè)、小批量試生產(chǎn)、工藝放大熟化等系列服務(wù)，推動(dòng)新技術(shù)、新產(chǎn)品加快熟化。鼓勵(lì)綜合性專業(yè)化中試平臺(tái)為光芯片領(lǐng)域首臺(tái)套裝備、首批次新材料等提供驗(yàn)證服務(wù)，符合條件的依法依規(guī)給予一定政策和資金支持。鼓勵(lì)中試平臺(tái)搭建眾創(chuàng)空間、孵化器、加速器等各類孵化載體，并孵化培養(yǎng)更多光芯片領(lǐng)域新物種企業(yè)。

廣東將依托各類創(chuàng)新主體，布局建設(shè)一批光芯片領(lǐng)域共性技術(shù)研發(fā)平臺(tái)，主要聚焦基礎(chǔ)理論研究和新興技術(shù)、顛覆性技術(shù)攻關(guān)，加快形成前沿性、交叉性、顛覆性技術(shù)原創(chuàng)成果，實(shí)現(xiàn)更多“從0到1”的突破。引進(jìn)國內(nèi)外戰(zhàn)略科技力量，培育一批創(chuàng)新平臺(tái)，主要聚焦光芯片關(guān)鍵細(xì)分環(huán)節(jié)，加快技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)孵化，不斷提升細(xì)分領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。圍繞研發(fā)設(shè)計(jì)、概念驗(yàn)證人才培養(yǎng)等專業(yè)化服務(wù)領(lǐng)域，打造一批促進(jìn)光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的公共服務(wù)平臺(tái)，強(qiáng)化創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化水平和專業(yè)化服務(wù)能力。

強(qiáng)化光芯片產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展布局，支持有條件的地市研究出臺(tái)關(guān)于發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)的專項(xiàng)規(guī)劃，加快引進(jìn)國內(nèi)外光芯片領(lǐng)域高端創(chuàng)新資源，形成差異化布局。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發(fā)揮半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)，結(jié)合本地區(qū)當(dāng)前發(fā)展產(chǎn)業(yè)科技的需要，加快培育光通信芯片、光傳感芯片等產(chǎn)業(yè)集群，打造涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)的光芯片全產(chǎn)業(yè)鏈，積極培育光計(jì)算芯片等未來產(chǎn)業(yè)。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地依托半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，規(guī)劃建設(shè)各具特色的光芯片專業(yè)園區(qū)。

廣東將圍繞光芯片關(guān)鍵細(xì)分領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)環(huán)節(jié)，引進(jìn)一批領(lǐng)軍企業(yè)和新物種企業(yè)。支持有條件的光芯片企業(yè)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)環(huán)節(jié)進(jìn)行并購整合，加快提升業(yè)務(wù)規(guī)模。支持龍頭企業(yè)與國內(nèi)外企業(yè)、高等院校、研究機(jī)構(gòu)聯(lián)合搭建未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合體，探索產(chǎn)學(xué)研協(xié)同攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)合攻關(guān)，孵化和培育一批科技型初創(chuàng)企業(yè)。鼓勵(lì)半導(dǎo)體及集成電路頭部企業(yè)發(fā)揮產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)，延伸布局光芯片相關(guān)領(lǐng)域。

支持光芯片龍頭企業(yè)加大在粵的研發(fā)和產(chǎn)線布局，加快形成光芯片產(chǎn)業(yè)集群。支持外資光芯片企業(yè)布局建設(shè)企業(yè)技術(shù)中心、工程研究中心、工程技術(shù)研究中心等各類平臺(tái)，進(jìn)一步強(qiáng)化光芯片領(lǐng)域科技創(chuàng)新能力。

積極對(duì)接國家集成電路戰(zhàn)略布局，爭(zhēng)取一批國家級(jí)光芯片項(xiàng)目落地廣東。加強(qiáng)與香港、澳門高等院校、科研院所的協(xié)同創(chuàng)新，對(duì)接優(yōu)質(zhì)科技成果、創(chuàng)新人才和金融資本，加快導(dǎo)入并形成一批技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果。加強(qiáng)與京津冀、長三角等國內(nèi)先進(jìn)地區(qū)企業(yè)、機(jī)構(gòu)交流合作，探索開展跨區(qū)域協(xié)同合作，加強(qiáng)導(dǎo)入優(yōu)質(zhì)研發(fā)資源和產(chǎn)業(yè)資源。建立與國際知名高校、研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)等各類創(chuàng)新主體的交流合作機(jī)制，加強(qiáng)技術(shù)和人員交流。

《行動(dòng)方案》在8項(xiàng)重點(diǎn)攻關(guān)工程中提出，要推進(jìn)光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造。力推動(dòng)刻蝕機(jī)、鍵合機(jī)、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。落實(shí)工業(yè)設(shè)備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設(shè)備更新升級(jí)。

加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān)。大力支持硅光材料、化合物半導(dǎo)體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學(xué)傳感材料、電光拓?fù)湎嘧儾牧?、光刻膠、石英晶體等光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)制造。

大力支持收發(fā)模塊、調(diào)制器、可重構(gòu)光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持硅光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關(guān)制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。

同時(shí)，《行動(dòng)方案》還提出，要加強(qiáng)光芯片設(shè)計(jì)和光芯片制造布局、并提升光芯片封裝水平。

具體而言，支持光芯片設(shè)計(jì)企業(yè)圍繞光通信互連收發(fā)芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探測(cè)芯片、短波紅外有機(jī)成像芯片、TOF/FMCW激光雷達(dá)芯片、3D視覺感知芯片等領(lǐng)域加強(qiáng)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化布局。

大力支持技術(shù)先進(jìn)的光芯片IDM、Foundry企業(yè)，加大基于硅基、鍺基、化合物半導(dǎo)體、薄膜鈮酸鋰等平臺(tái)材料，以及各類材料異質(zhì)異構(gòu)集成、多種功能光電融合的光芯片、光模塊及光器件的產(chǎn)線和產(chǎn)能布局。

大力發(fā)展片上集成、3D堆疊、光波器件與光芯片的共封裝（CPO）以及光I/O接口等先進(jìn)封裝技術(shù)，緊貼市場(chǎng)需求推動(dòng)光芯片封裝測(cè)試工藝技術(shù)升級(jí)和能力提升。