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半導體FTIR外延膜厚量測設備實現(xiàn)新突破!

作者: 時間:2024-09-18 來源:全球半導體觀察 收藏

9月14日,蓋澤華矽科技(上海)有限公司(以下簡稱“蓋澤”),兩臺自主研發(fā)的膜厚設備GS-M08X,正式交付兩家客戶

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202409/463007.htm

作為一款量產(chǎn)設備,該機種基于紅外光譜技術(shù),可以精準測量晶圓中多層外延層的厚度,提供高精度的結(jié)果。設備裝配了雙臂潔凈機械手和全新設計的Stage平臺,以及自主研發(fā)的光路系統(tǒng)及算法,能更大程度上兼容客戶應用場景,也讓測量效率大幅度提高。增加了Online在線技術(shù),遵循SEMI標準協(xié)議,可無縫連接客戶OHT/MES等系統(tǒng)。同時,設備實現(xiàn)測量自動化控制和自動化運行功能,降低人力成本,提高生產(chǎn)效率。



關(guān)鍵詞: 半導體 FTIR 外延膜厚 量測

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