超200億半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展披露

近日，據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地11月起設(shè)備進(jìn)駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。

資料顯示，長(zhǎng)飛先進(jìn)與2023年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會(huì)簽署第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目，該項(xiàng)目聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，其中項(xiàng)目一期總投資80億元，規(guī)劃年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。

當(dāng)前，第三代化合物半導(dǎo)體在新能源汽車、風(fēng)光儲(chǔ)、電網(wǎng)、智能駕駛、5G等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，寬禁帶半導(dǎo)體亦隨著在終端領(lǐng)域的持續(xù)滲透而從導(dǎo)入期過(guò)渡到快速發(fā)展期。

碳化硅是第三代化合物半導(dǎo)體的典型代表，憑借耐高溫、耐高壓、高頻化、低損耗等材料優(yōu)勢(shì)，能夠大幅提高器件的能源轉(zhuǎn)化效率、減少能耗并降低系統(tǒng)成本，將逐步取代傳統(tǒng)硅基器件進(jìn)而成為未來(lái)功率器件的主流。

作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，到2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。