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又一臺(tái)天價(jià)光刻機(jī),即將出貨!

發(fā)布人:芯股嬸 時(shí)間:2024-11-04 來源:工程師 發(fā)布文章

據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV(極紫外)光刻機(jī)設(shè)備,這或許標(biāo)志著這家三星電子在先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域取得重大進(jìn)步。

ASML獨(dú)家提供的極紫外光刻機(jī)對(duì)于2nm以下更先進(jìn)制程的工藝至關(guān)重要,三星此前曾設(shè)定了到2027年實(shí)現(xiàn)1.4nm工藝商業(yè)化的目標(biāo),行業(yè)人士表示,三星將加快其1nm芯片商業(yè)化的開發(fā)工作。

據(jù)悉,每臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)售價(jià)約3.5億美元(約合人民幣25億元),遠(yuǎn)高于ASML標(biāo)準(zhǔn)EUV系列的1.8億~2億美元。High NA系統(tǒng)具有8mm分辨率,晶體管密度是Low NA系統(tǒng)的三倍。具體而言,High NA EUV技術(shù)超越了現(xiàn)有的EUV系統(tǒng),能夠創(chuàng)建更精細(xì)的電路設(shè)計(jì),使其適用于運(yùn)行在5nm以下的芯片,如CPU和GPU等系統(tǒng)半導(dǎo)體。

雖然標(biāo)準(zhǔn)EUV對(duì)5nm及以下工藝有效,但High NA EUV可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)2nm以下的電路尺寸,從而提高性能并減少曝光次數(shù),從而降低生產(chǎn)成本。比利時(shí)微電子研究中心IMEC與ASML合作的最新研究表明,一次High NA EUV曝光可以產(chǎn)生完整的邏輯和存儲(chǔ)電路。

據(jù)報(bào)道,三星首款High NA EUV設(shè)備——ASML的EXE:5000型號(hào)預(yù)計(jì)將于2025年初上市。鑒于半導(dǎo)體設(shè)備安裝的復(fù)雜性(通常涉及漫長(zhǎng)的測(cè)試階段),EXE:5000預(yù)計(jì)將于2025年第二季度投入運(yùn)營(yíng)。

據(jù)悉,在全球范圍內(nèi),3納米以下制程的競(jìng)爭(zhēng)者目前僅有臺(tái)積電、英特爾和三星三家晶圓代工廠。他們之間的競(jìng)爭(zhēng)正在升溫,加速競(jìng)相獲得2nm以下工藝的High NA EUV設(shè)備。英特爾于2023年12月率先獲得該設(shè)備,臺(tái)積電于2024年第三季度緊隨其后。


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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體

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