IR推出100V集成MOSFET解決方案

為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間

國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET  MOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3平方英寸的占板面積。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“PoE卡的每個端口都需要有各自的MOSFET，IRF4000正好可以滿足這種需要。與使用單獨MOSFET的解決方案相比，它能大幅度減少零件數(shù)目，同時簡化制造工藝，可在48端口系統(tǒng)中節(jié)省36個插入元件。”

IEEE 802.3af提出了在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中由電源設(shè)備通過局域網(wǎng)向用電裝置供電的標(biāo)準(zhǔn)。IR的這款新型MOSFET的工作類似一個熱交換場效應(yīng)管，在受控環(huán)境下，可將電力由電源設(shè)備輸送到用電裝置。由于它必須在線性區(qū)域工作，工作環(huán)境也非常嚴(yán)峻，因此必須設(shè)置一個高度穩(wěn)定的安全工作區(qū)域（SOA）。

IRF4000采用低跨導(dǎo)硅技術(shù)，封裝熱阻約1