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中國半導(dǎo)體業(yè)再次發(fā)起沖擊

作者: 時間:2010-07-06 來源:SEMI 收藏

  沉寂了一段時間后,中國業(yè)又重新開始沖剌,表現(xiàn)為上海華力12英寸項目啟動及擴充北京12英寸生產(chǎn)線產(chǎn)能至4.5萬片,包括可能在北京再建一條12英寸生產(chǎn)線等。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/110611.htm

  然而,從國外媒體來的訊息表示的觀點有些不同。如美國Information Network認為中國業(yè)在政府資金支持下,在未來的5年內(nèi)將投資250億美元,可能再次掀起高潮。但也不排除,有的市場分析公司對于投資的回報率存有質(zhì)疑,其實這一切才是正常的。因為中國業(yè)是屬于戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),不是完全可用市場機制,單一的經(jīng)濟規(guī)律來解釋得通。

  中國半導(dǎo)體業(yè)的重要地位

  站在國家利益角度,進行半導(dǎo)體業(yè)突破是必須的,因為半導(dǎo)體業(yè)是電子工業(yè)基礎(chǔ),它的成功能反映中國電子工業(yè)的基礎(chǔ)水平。

  從全球范圍看半導(dǎo)體業(yè)是壟斷性產(chǎn)業(yè),除美,日本之外,主要集中在韓國及臺灣地區(qū)。而那些第一世界中的發(fā)達國家如英、法、意大利等并沒都有自已的半導(dǎo)體業(yè)。那就要問中國為什么一定要搞半導(dǎo)體業(yè),能否也是“拿來主義”?答案是肯定的,由于國情不同,中國一定要有自已的半導(dǎo)體業(yè)。

  而且,還有一個非常特殊的問題,即在發(fā)展高科技,包括半導(dǎo)體業(yè)中,西方有一個瓦圣納條約,專門用來對付中國等國家,所謂出口高技術(shù)有限制,通常是N-2,即要落后于西方兩代以上的技術(shù)才能出口到中國。千萬不要忽視,這是阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)進步的重要因素之一,所以中央領(lǐng)導(dǎo)每次與美國對陣,總是提出希望放寬高技術(shù)出口限制,然而美國等總是拿這張牌來要挾我們。

  另外,為什么說發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)是電子工業(yè)的基礎(chǔ)。因為傳統(tǒng)工業(yè)中使用材料的純度通常是99%-99.99%,而在半導(dǎo)體業(yè)中如今使用的硅材料達 99.9999999%,即9個“9”,所以為了減少污染,半導(dǎo)體制造工藝中所使用各種氣體,水,試劑,包括金屬材料等,也必須達到9個“9”的純度要求,相當于把整個工業(yè)基礎(chǔ)水平由“工業(yè)級”提高到“電子級”。所以發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)能帶動整個電子工業(yè)的基礎(chǔ)水平提升。

  正如大連市長戴玉林的切身體會,越來越覺得英特爾帶給大連的,絕不止于即將產(chǎn)生的巨大產(chǎn)值、稅收和各種經(jīng)濟效益。比如他認為,英特爾來后大連市發(fā)生的一個重要變化,是將基礎(chǔ)設(shè)施的規(guī)劃設(shè)計水準提高到了國際一流?,F(xiàn)在到大連開發(fā)區(qū)考察的企業(yè)對水、電、氣等基礎(chǔ)設(shè)施基本不怎么過問,“因為他們知道英特爾在這里,基礎(chǔ)設(shè)施方面就不會有任何問題”。當初對于工廠的供電,英特爾提的要求是“采用雙回路”、“供電連續(xù)性要達到99.9999%”,后者的意思是一年365天中停電時間不能超過15分鐘。

  由此,發(fā)展中國半導(dǎo)體業(yè)的重要地位已十分清晰,目前引進技術(shù)十分必要,可以節(jié)省時間,但是不可能依賴它,因為也不可能,它不是一個用錢就能解決一切的產(chǎn)業(yè),必須通過自已的努力,逐步地縮小與世界先進水平之間的差距,最終實現(xiàn)自主的發(fā)展。

  有可能突破嗎?

  這個問題從上到下,包括業(yè)界都在思考,因為根據(jù)歷史的經(jīng)驗,中國有一定的可能性,但也面臨諸多困難。例如,在2004年時,以為代表的半導(dǎo)體業(yè)曾取得全球代工位居第三以及與臺積電之間的工藝技術(shù)差距僅1年左右的水平。然而,如今差距可能擴大到2-3年。仔細分析原因是復(fù)雜的,尤其可能涉及到國家的工業(yè)基礎(chǔ)水平。

  如果客觀地分析目前中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)動再次沖擊的有利方面包括1)能從過去發(fā)展的經(jīng)驗中,如IP的缺失等,一定會有所改進 2)近期又引進一批優(yōu)秀人材 3)國家表示愿意重新加大投入4)全球半導(dǎo)體形勢轉(zhuǎn)好,給中國的發(fā)展騰出空間。

  因此,此次中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)動再次沖擊有成功的可能性,但也不能輕視放在中國面前的許多障礙。從目前的競爭態(tài)勢中,如高端技術(shù)的自主突破是首位。

  差距有多大

  目前自David Wang上臺后,又喜賀特許的楊士寧加盟,隨之引進一批骨干人材。目前己經(jīng)開始產(chǎn)品的量產(chǎn),月產(chǎn)為4000片左右,并正努力沖擊45nm技術(shù)及準備32nm的研發(fā),應(yīng)該說已取得了長足的進步。另外上海華立正緊鑼密鼓的進行設(shè)備訂貨及技術(shù)前期準備工作,如與IMEC簽訂技術(shù)合作協(xié)議與培訓(xùn)人材。

  但是臺積電在Q12010年時占營收27%及40-45nm占營收為14%。并正在擴充其12英寸生產(chǎn)線Fab 12與Fab14的產(chǎn)能。到2010年第四季度時兩個工廠合計40nm產(chǎn)能將達到16萬片,比去年同期翻一番。該公司40nm工藝的銷售額比例在2009 年第四季度為9%,預(yù)計2010年底將提高到20%。

  聯(lián)電目標在今年下半年實現(xiàn)65nm占營收的30-40%,即2010年銷售額有近10億美元,及45-40nm占3%。

  另外,IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導(dǎo)體四家行業(yè)巨頭聯(lián)合宣布,他們將合作實現(xiàn)半導(dǎo)體制造工廠的同步,共同使用IBM 技術(shù)聯(lián)盟開發(fā)的28nm低功耗工藝生產(chǎn)相關(guān)芯片。

  IBM技術(shù)聯(lián)盟的28nm低功耗工藝使用Bulk CMOS、HKMG(高K金屬柵極)技術(shù),特別是有意通過獨特的Gate First(前柵極)技術(shù)推動HKMG的標準化,號稱在靈活性和制造性方面都優(yōu)于其他類型的HKMG技術(shù)(主要是Intel),芯片核心尺寸更小,設(shè)計和生產(chǎn)兼容性更好。預(yù)計今年底就會有工廠率先完成同步過程,隨后不久便可以開始投產(chǎn)。

  由此,全球代工的第一陣營中,包括臺積電,聯(lián)電,GlobalFoundries及三星基本上已進入45-40nm量產(chǎn),而跨入28nm的試生產(chǎn)中。其中臺積電聲言將跳過28nm,而直接進入20nm,采用領(lǐng)先半代的工藝技術(shù)策略。

  所以中芯國際及華立不但要加緊尋找技術(shù)合作伙伴,進行自主的突破技術(shù),而且一定要快,否則想從“虎口奪牙”,要爭取更大的市場份額會有一定難度。然而,從長遠看中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)不必太在乎是全球第幾名,而是在于從整體上提高中國半導(dǎo)體業(yè)的基礎(chǔ)水平,使產(chǎn)業(yè)鏈更加完善,能讓大部分企業(yè)能實現(xiàn)盈利而生存下來及芯片的自給率真正提高到一定水平。



關(guān)鍵詞: 中芯國際 65nm 半導(dǎo)體

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