Global Foundries宣布2015年將在15nm制程節(jié)點(diǎn)正式啟用EUV光刻技術(shù)

　　在最近召開(kāi)的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會(huì)議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節(jié)點(diǎn)開(kāi)始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。 Global Foundries 公司負(fù)責(zé)制程技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁Greg Bartlett還表示，公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開(kāi)始在這家工廠部署EUV光刻設(shè)備，按之前 Global Foundries公布的計(jì)劃，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)大概是在2012年下半年，與之巧合的是，光刻設(shè)備廠商ASML公司也將于這個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始上市EUV光刻設(shè)備。

　　由于IBM/AMD/Global Foundries一直鼎立支持EUV光刻技術(shù)，他們過(guò)去也曾經(jīng)試用過(guò)ASML的Alpha EUV光刻試驗(yàn)機(jī)，因此將來(lái)他們應(yīng)用起EUV技術(shù)來(lái)應(yīng)該不會(huì)遇上太大的困難。另外 Bartlett還表示Global Foundries公司將于2015年正式啟用EUV光刻設(shè)備進(jìn)行批量生產(chǎn)。考慮到Global Foundries的計(jì)劃顯示今年底明年初他們將推出32/28nm制程產(chǎn)品，這樣大致估算起來(lái)，32/28nm制程啟用后大約兩年，我們就可以看到Global Foundries 22nm制程產(chǎn)品的上市，22nm之后再過(guò)兩年，則是使用EUV光刻技術(shù)的15nm制程產(chǎn)品上市。

　　另一個(gè)令人關(guān)心的問(wèn)題是，到2015年，也許晶圓的尺寸也已經(jīng)從現(xiàn)在的300mm發(fā)展到450nm直徑了，不過(guò)在Bartlett的講話(huà)中并沒(méi)有提及這方面的信息。不管怎么樣，圍繞在EUV光刻何時(shí)能投入實(shí)用的問(wèn)題我們已經(jīng)得到了確切的答案。

　　相比之下，Global Foundries的對(duì)手Intel曾計(jì)劃在22nm制程節(jié)點(diǎn)啟用EUV光刻設(shè)備，不過(guò)他們后來(lái)的計(jì)劃有所變化，稱(chēng)將把193nm沉浸式光刻技術(shù)沿用到15nm制程乃至11nm制程節(jié)點(diǎn);而其另一大對(duì)手臺(tái)積電則表示會(huì)將EUV設(shè)備使用在20nm制程節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品中。

　　注：現(xiàn)有的193nm沉浸式光刻機(jī)(以同樣產(chǎn)自ASML的TWINSCAN NXT-1950i沉浸式光刻機(jī)為例)的光波波長(zhǎng)為193nm，數(shù)值孔徑值NA為1.35;而ASML的EUV Alpha試驗(yàn)機(jī)使用的光波波長(zhǎng)則為13.5nm，數(shù)值孔徑值NA則為0.25.