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英特爾與鎂光開始出樣25nm TLC閃存

作者: 時間:2010-08-18 來源:cnbeta 收藏

  今天宣布和鎂光一起發(fā)布 閃存的第一款樣品,(Trinary-Level Cell;),即3bit/cell,也就是1個內(nèi)存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢,壽命短,但成本低,價格也較便宜,有2000-5000次擦寫壽命,非常適合U盤、SD卡和消費電子產(chǎn)品。新發(fā)布的芯片擁有8GB容量,芯片面積131平方毫米,比25納米制程MLC還小20%,以下是圖像:

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/111837.htm



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