英特爾與鎂光開始出樣25nm TLC閃存

　　英特爾今天宣布和鎂光一起發(fā)布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個內(nèi)存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較便宜，有2000-5000次擦寫壽命，非常適合U盤、SD卡和消費電子產(chǎn)品。新發(fā)布的芯片擁有8GB容量，芯片面積131平方毫米，比25納米制程MLC還小20%，以下是圖像：