三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息,根據(jù)計劃,三星將為筆記本和移動工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊,該模塊基于40納米制程,1333MHz頻率,1.5V電壓,比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%,比1.8V DDR2節(jié)電67%。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/112932.htm
這種模組最早將被提供到戴爾Precision M6500移動工作站上,如將插槽插滿,共可容下32GB內(nèi)存。
評論