三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線(xiàn)將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

　　三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠(chǎng)，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠(chǎng)16產(chǎn)線(xiàn)，將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。

　　2010年5月在三星會(huì)長(zhǎng)李健熙的參與下，華城廠(chǎng)16產(chǎn)線(xiàn)正式動(dòng)工。包含建筑物費(fèi)用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線(xiàn)以12吋晶圓為基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片以上。

　　三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行閃存生產(chǎn)作業(yè)，是因?yàn)榻鼇?lái)計(jì)算機(jī)需求萎靡，且進(jìn)入第3季后DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，而閃存則搭上智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)暢銷(xiāo)熱潮，需求也隨之增加。

　　海力士(Hynix)曾對(duì)外表示2011年DRAM產(chǎn)能將維持與2010年相同水平，僅在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換上進(jìn)行投資。然而至2010年底月產(chǎn)能約8萬(wàn)片的清州閃存專(zhuān)用M11產(chǎn)線(xiàn)，仍將于2011年擴(kuò)大產(chǎn)能至12萬(wàn)片，也是為呼應(yīng)此市場(chǎng)趨勢(shì)。

　　三星目前運(yùn)用華城廠(chǎng)14產(chǎn)線(xiàn)及美國(guó)德州奧斯汀廠(chǎng)生產(chǎn)12吋晶圓制造閃存，華城廠(chǎng)12產(chǎn)線(xiàn)則混合生產(chǎn)DRAM和閃存。

　　南韓業(yè)界相關(guān)人員表示，若三星將既有的閃存產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)換成微細(xì)電路制程，約可創(chuàng)造50~60%的位成長(zhǎng)率(Bit Growth)，但三星2011年達(dá)到80%位成長(zhǎng)率的目標(biāo)，在執(zhí)行面上則有困難。因此勢(shì)必將目前興建中的16產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)生產(chǎn)閃存，才可能達(dá)到80%的目標(biāo)值。