三星半導體16產線將轉產閃存

　　三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產使用。據南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產閃存。

　　2010年5月在三星會長李健熙的參與下，華城廠16產線正式動工。包含建筑物費用等將階段性投入12兆韓元進行建設。三星半導體16產線以12吋晶圓為基準，每月最大產能可達20萬片以上。

　　三星將優(yōu)先在16產線進行閃存生產作業(yè)，是因為近來計算機需求萎靡，且進入第3季后DRAM價格持續(xù)下跌，而閃存則搭上智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)暢銷熱潮，需求也隨之增加。

　　海力士(Hynix)曾對外表示2011年DRAM產能將維持與2010年相同水平，僅在微細制程轉換上進行投資。然而至2010年底月產能約8萬片的清州閃存專用M11產線，仍將于2011年擴大產能至12萬片，也是為呼應此市場趨勢。

　　三星目前運用華城廠14產線及美國德州奧斯汀廠生產12吋晶圓制造閃存，華城廠12產線則混合生產DRAM和閃存。

　　南韓業(yè)界相關人員表示，若三星將既有的閃存產線轉換成微細電路制程，約可創(chuàng)造50~60%的位成長率(Bit Growth)，但三星2011年達到80%位成長率的目標，在執(zhí)行面上則有困難。因此勢必將目前興建中的16產線轉生產閃存，才可能達到80%的目標值。