安森美半導(dǎo)體推出6款單通道功率MOSFET

　  應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。

　　這些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封裝及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封裝，占位面積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)DPAK封裝小50%或以上，但提供相同或更低的導(dǎo)通阻抗。相對(duì)采用歷史較長(zhǎng)的DPAK封裝的元件而言，這些器件節(jié)省珍貴的電路板空間，非常適合于燃油噴射系統(tǒng)及電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器等汽車應(yīng)用中的負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換及電源管理。

　　安森美半導(dǎo)體新的功率MOSFET產(chǎn)品組合中涵蓋30 V、40 V和60 V及N溝道和P溝道器件，為客戶的新產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供了寬范圍選擇。極低的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]將導(dǎo)電及功率損耗降到最低，同時(shí)大電流能力(介于6.3 A到65 A之間，因器件而異)確保提供強(qiáng)固的負(fù)載性能。這些器件通過AEC-Q101認(rèn)證，彰顯它們適合汽車應(yīng)用。

　　NVMFS4841N (30 V、65 A單N溝道)器件采用SO-8FL封裝，NVTFS4823N (30 V、30 A單N溝道)、NVTFS5116PL (60 V、14 A單P溝道)、NVTFS5811NL (40 V、40 A單N溝

　　道)、NVTFS5826NL (60 V、20 A單N溝道)及NVTFS5820NL (60 V、29 A單N溝道N)采用WDFN-8封裝。

　　安森美半導(dǎo)體功率MOSFET業(yè)務(wù)部副總裁Paul Leonard說：“減小模塊總體尺寸及提供可靠和強(qiáng)固的性能，是汽車電子應(yīng)用的兩大要求。我們新的功率MOSFET器件滿足這些要求，使汽車客戶節(jié)省珍貴的印制電路板(PCB)占位面積，或在更小的總體設(shè)計(jì)中集成更多的功能。”