東芝升級(jí)24納米閃存技術(shù)

　　東芝日前對(duì)旗下24納米工藝閃存芯片進(jìn)行升級(jí)并推出了最新SmartNAND系列產(chǎn)品，東芝此次閃存升級(jí)可能是在為蘋果下一代iPhone 5手機(jī)的發(fā)布做準(zhǔn)備。

　　SmartNAND系列產(chǎn)品基于24納米制程工藝，芯片最大容量可達(dá)64GB，適用于媒體播放器、平板電腦和其它設(shè)備。除了擁有更大存儲(chǔ)容量外，新芯片的內(nèi)存控制器可以進(jìn)一步提升讀取、寫入速度。所有芯片均支持錯(cuò)誤檢查和糾正(ECC)功能，該功能可以減輕主處理器的數(shù)據(jù)糾錯(cuò)工作負(fù)擔(dān)。

　　SmartNAND系列芯片容量在4-64GB，其中4GB、8GB、16GB芯片將在4月或5月進(jìn)行樣品生產(chǎn)，32GB和64GB芯片則將在6月份開始樣品生產(chǎn)，今夏開始量產(chǎn)。

　　東芝新閃存的面世也再次驗(yàn)證了蘋果iPhone 5將配備64GB存儲(chǔ)空間的傳聞，此前有64GB版iPhone 4曝光，并有消息指出下一代iPhone 5也將擁有64GB存儲(chǔ)空間可選版本。