3DIC芯片堆疊技術(shù)項目又有6成員加入
—— 促進3DIC技術(shù)標準化
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包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering)，Altera，ADI(AnalogDevices)，LSI，安森美以及高通公司在內(nèi)的6家半導體公司現(xiàn)已加入了3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動項目，該消息是由美國半導體制造技術(shù)聯(lián)盟(Sematech)于日前公布。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/119203.htm去年Sematech宣布建成了首個300mm規(guī)格3DIC試產(chǎn)產(chǎn)線，該產(chǎn)線建在紐約州立大學納米科學與工程學院下屬的奧爾巴尼納米技術(shù)研究中心(CNSE)內(nèi)，而Sematech的3DIC芯片堆疊技術(shù)研究則是以該研究中心為核心展開的。在此之前，除了CNSE之外，已經(jīng)有GlobalFoundries，惠普，Hynix，IBM，Intel，三星以及聯(lián)電幾家公司加入了這個研究項目。
2010年12月份，Sematech聯(lián)合半導體協(xié)會(SIA)以及半導體研究協(xié)會(SRC)一起啟動了一項新的3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動項目，該項目成立的目的是促進3DIC技術(shù)的標準化和對異構(gòu)型3DIC整合技術(shù)進行研究。項目的首要目標是確立出一套與3DIC關(guān)鍵技術(shù)如量檢測技術(shù)，芯片鍵合技術(shù)，微凸焊點(microbumping)等有關(guān)的技術(shù)和規(guī)格標準。
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