2012年光刻掩膜板市場預(yù)計(jì)可達(dá)32億美元

　　SEMI研究報(bào)告最新研究報(bào)告顯示，2010年全球半導(dǎo)體光刻掩膜板市場達(dá)到了30億元規(guī)模，預(yù)估2012年這一數(shù)字可達(dá)32億美元。由于有2008和2009連續(xù)兩年的簽約保障下，半導(dǎo)體光刻掩膜板市場在2010年增長了10%，而未來兩年光刻掩膜板市場則預(yù)計(jì)將有7%和2%的成長。

　　驅(qū)動此一市場成長的關(guān)鍵主要來自于先進(jìn)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行微縮(小于65納米)，以及亞太地區(qū)制造業(yè)的蓬勃發(fā)展。以專有光刻掩膜板(captive photomask)廠商而言，在2006年其僅占光刻掩膜板市場30%的比例，但在2010年，該數(shù)字已成長至40%。傳統(tǒng)的光學(xué)光刻技術(shù)將持續(xù)推動下一代光刻技術(shù)方案的推陳出新，包括超紫外光(EUV)、無光刻掩膜板光刻、和納米壓印(nano-imprint)。而對于45納米制程節(jié)點(diǎn)而言，浸潤式光刻(immersion lithography)可說是其首選技術(shù)。另外針對sub 45納米制程節(jié)點(diǎn)，透過顯影光源優(yōu)化(Source Mask Optimization，SMO)的應(yīng)用將可擴(kuò)展單次曝光程序，而雙重曝光(double patterning)技術(shù)也被視為重要方案。

　　為了協(xié)助將光學(xué)光刻技術(shù)延伸至22納米節(jié)點(diǎn)尺寸，除了雙重曝光和SMO之外，設(shè)備制造商還打算利用運(yùn)算光刻

　　(computational lithography)的技術(shù)。而一再延宕、遲遲不見芳蹤的EUV技術(shù)，則至少要等到16納米節(jié)點(diǎn)后才有可能出現(xiàn)，而且屆時(shí)此一革命性的新技術(shù)是否會被廣泛采用，還得取決于成本考慮，以及能否形成新的供應(yīng)鏈。然而，在一些關(guān)鍵領(lǐng)域中，譬如檢測設(shè)備、光源功率(source power)、光刻掩膜板和光刻膠(resist)等，EUV還是有所進(jìn)展的。雖然EUV技術(shù)領(lǐng)域已逐步取得進(jìn)展，但卻也有越來越多的論調(diào)認(rèn)為應(yīng)該將EUV技術(shù)作為協(xié)助193納米浸潤式光刻進(jìn)一步微縮的補(bǔ)助手段，以突破后者在物理特性上的局限。

　　而對于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供貨商來說，經(jīng)濟(jì)方面的不確定性因素遠(yuǎn)比技術(shù)問題更讓人頭痛，隨著 線寬必須不斷縮小的趨勢下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn)，更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應(yīng)運(yùn)而生，但卻僅有部份的客戶會轉(zhuǎn)移至更小尺寸的產(chǎn)品，而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個(gè)正在萎縮的市場上找到它的平衡點(diǎn)，既能進(jìn)行技術(shù)升級發(fā)展也能兼顧資本成本。

　　SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》，對2010年的光刻掩膜板市場提供詳細(xì)的分析，并以全球七個(gè)主要地區(qū)，包括北美、日本、歐洲、臺灣、韓國、中國、以及其它地區(qū)進(jìn)行市場分析，該報(bào)告還囊括每一地區(qū)從2005至2012年間的相關(guān)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)。