恩智浦NextPower MOSFET具有行業(yè)最低RDS (on)

　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開(kāi)始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級(jí))，是高性能、高可靠性開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想之選。傳統(tǒng)方法主要著眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結(jié)技術(shù)來(lái)優(yōu)化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的開(kāi)關(guān)性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時(shí)提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅(jiān)固的Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環(huán)境下提供出色的功率開(kāi)關(guān)功能。

　　事實(shí)/要點(diǎn)：

　　· 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六個(gè)參數(shù)方面性能表現(xiàn)優(yōu)異：

　　低RDS (on) —— 擁有行業(yè)最低RDS(on)的Power-SO8封裝產(chǎn)品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing應(yīng)用下具有I2R損耗低、性能出色的特點(diǎn)

　　低Qoss，有利于減少漏極與源引腳之間的損耗，當(dāng)輸出引腳上出現(xiàn)電壓變化時(shí)，還可減少輸出電容 (Coss) 中存儲(chǔ)的損耗能量

　　低Miller電荷 (Qgd)，有利于減少開(kāi)關(guān)損耗和高頻開(kāi)關(guān)次數(shù)

　　SOA性能可以極好地承受過(guò)載和故障條件

　　低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅(qū)動(dòng)電路中的損耗

　　出色的額定結(jié)點(diǎn)溫度Tj(max)，堅(jiān)固型Power-SO8 LFPAK封裝則為條件惡劣且對(duì)可靠性要求較高的環(huán)境提供了保障

　　· 主要應(yīng)用領(lǐng)域包括同步降壓穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換、穩(wěn)壓器模塊和功率OR-ing

　　積極評(píng)價(jià)：

　　· 恩智浦半導(dǎo)體功率MOSFET部營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Charles Limonard表示：“在25V和30V條件下實(shí)現(xiàn)行業(yè)最低的RDS (on)，這只是其突出表現(xiàn)的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于，我們還可以控制MOSFET行為的各個(gè)方面——超越導(dǎo)通電阻和柵極電荷——為開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)高性能、高可靠性和最大功效。”