三星量產30nm制程內存

　　韓國三星公司近日宣布將開始量產基于30nm制程4Gb密度DDR3內存芯片的32GB內存條，這款內存條產品將主要面向云計算以及高檔服務器應用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3產品,三星30nm制程4Gb DDR3內存芯片的產出量可提升大約50%。

　　在一年前啟動40nm級別制程4Gb DDR3內存芯片的量產后，三星于今年2月份已經開始量產30nm制程4Gb密度DDR3內存芯片產品，兩個月之后的四月份，三星又推出了總容量16GB的DDR3內存條產品，這種產品主要面向面向服務器制造商。

　　另外，不久前三星還剛剛推出了基于30nm制程 4Gb密度的LPDDR2內存芯片產品(面向移動設備)。而本月三星又推出了基于30nm制程4Gb密度DDR3內存芯片的這款32GB總容量的帶寄存器雙線(RDIMM)內存條,以及8GB容量的筆記本用SODIMM內存條。其基于30nm制程內存芯片的產品線基本已經完備。

　　三星這次推出的新款32GB容量RDIMM DDR3內存條額定工作電壓1.35V，峰值數(shù)據(jù)傳輸率1866 Mbits，性能比40nm制程32GB RDIMM內存條的1333Mbits(工作電壓1.5V)提升了50%。另外，8GB SO-DIMM DDR3內存條的工作電壓則為1.5V，峰值數(shù)據(jù)傳輸率為2133Mbits。

　　據(jù)三星預計，2012年三星將有10%的內存芯片產品是基于4Gb及更高容量密度的芯片。

　　據(jù)IHS市調公司的統(tǒng)計，4Gb內存芯片的銷量到2012年的市場占有率將達到10%左右，1314年這個數(shù)字則將先后提升至35%和57%。