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力成科技布局先進封裝技術(shù)

—— 新廠2012年第3季裝機投產(chǎn)
作者: 時間:2011-07-04 來源:Digitimes 收藏

  力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務往先進技術(shù)布局,繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后,轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土,預計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示,實驗工廠以開發(fā)新技術(shù)為主,包括晶圓級、3D IC及銅柱凸塊等,估計開發(fā)時程約1年,屆時新竹廠正好開始啟用,新產(chǎn)品效益可望適時于2012~2013年發(fā)酵。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/121007.htm

  蔡篤恭表示,2011年將面臨4項挑戰(zhàn),包括營業(yè)額成長趨緩、毛利率下降;新臺幣升值;主要客戶減產(chǎn)以應付產(chǎn)量過剩;產(chǎn)業(yè)變動太快,景氣不明確。該公司也將祭出5大對策因應,包括改進業(yè)務推廣能力、建立先進技術(shù)、興建先進制程量產(chǎn)工廠,并期待于2012年下半加入生產(chǎn)行列,提升子公司聚成科技與蘇州廠的產(chǎn)能利用率,積極協(xié)助其提高產(chǎn)品制程能力與開發(fā)新客戶;加強物料采購議價能力,使材料成本合理化,具有競爭力。

  其中在建立先進封裝能力方面,蔡篤恭表示,力成先前向茂德買下廠房,該廠作為實驗工廠,以開發(fā)新技術(shù)為主,制程涵蓋銅柱凸塊、線路重布/晶圓級封裝技術(shù)、硅中介層(Si-Interposer)、硅穿孔(TSV)技術(shù)等。此外,力成子公司聚成科技位于新竹科學園區(qū)的廠房,已于2011年3月動土,預計2012年6月完工,第3季裝機、試產(chǎn),該廠作為以晶圓級封裝與3D IC等先進封裝制程的量產(chǎn)工廠。

  其中銅柱凸塊方面,力成早在3年前即與IBM簽約共同開發(fā),預計2011年第4季~2012年第1季量產(chǎn),初步計劃在上述的實驗工廠,建置1萬片月產(chǎn)能,預計到2012年第1季可以擴增到3萬片水平。

  蔡篤恭表示,銅柱凸塊可應用在內(nèi)存、邏輯及模擬IC。以為例,目前三星電子(Samsung Electronics)所生產(chǎn)的GDDR5,已采用銅柱凸塊技術(shù),以銅柱凸塊與植金凸塊相比,成本低之外,也具有低耗電、高效能、高速、尺寸小等優(yōu)勢。然而在產(chǎn)量尚未達到經(jīng)濟規(guī)模時,銅柱凸塊成本仍高于金凸塊,預計到月產(chǎn)能3萬片之際,應可超過損益兩平點。



關(guān)鍵詞: 封裝 DRAM

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