新應(yīng)用帶動IGBT革新

　　國內(nèi)企業(yè)還要著力提升

　　當(dāng)前，全球IGBT技術(shù)主要集中在歐美和日本企業(yè)手中，并已經(jīng)發(fā)展到了第六代，而我國只有少數(shù)企業(yè)從事IGBT的開發(fā)。據(jù)了解，主導(dǎo)廠商包括比亞迪、山東科達、無錫鳳凰、吉林華微、江蘇宏微等，比亞迪從芯片、模塊都自主開發(fā)和制造，目前已在其電動汽車上有應(yīng)用。山東科達、無錫鳳凰、吉林華微、江蘇宏微等都已開發(fā)了IGBT，并已應(yīng)用到電磁爐等市場。

　　北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院微電子學(xué)與固體電子學(xué)教授亢寶位介紹說，國內(nèi)在IGBT芯片和模塊封裝上都有差距，但封裝方面的差距正在縮小。國內(nèi)某些廠商宣稱開發(fā)了IGBT芯片，但應(yīng)用還比較少，還需要時間來檢驗其性能。

　　“國內(nèi)目前的模式除了比亞迪、吉林華微外，大部分企業(yè)都找華潤上華、華虹NEC、上海先進等代工廠制造IGBT芯片，而三菱電機、英飛凌等大都‘一手包辦’，只有一部分低端IGBT放在中國代工廠來做。而中國現(xiàn)有的這種模式能否成功，還需要時間檢驗。”亢寶位表示。最近中國大陸投資興建了IGBT8英寸芯片生產(chǎn)線，但亢寶位指出，如同IC一樣，其生產(chǎn)線一旦開工就不能停，如果接受程度不高、開工量不足的話，每天都要承擔(dān)很高的損失。因而，還需要把基礎(chǔ)夯實才有戲。

　　目前有的企業(yè)試圖以GaN及SiC之類的新材料為契機參與市場，但功率半導(dǎo)體的準(zhǔn)入門檻相當(dāng)高，不是那么輕易就能涉足的?？簩毼唤ㄗh，國內(nèi)企業(yè)應(yīng)從低功率IGBT入手，先做低端，慢慢積累經(jīng)驗，再向中高端轉(zhuǎn)移，因為IGBT最重要的還是材料和工藝，是否擁有制造技術(shù)方面的經(jīng)驗是決定成敗的關(guān)鍵，這還需要花費時間去摸索。