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新應(yīng)用帶動IGBT革新

—— 國內(nèi)企業(yè)需著力提升競爭力
作者: 時間:2011-07-05 來源:中國電子報 收藏

  前些年消費電子和工業(yè)控制是推動市場快速發(fā)展的兩架馬車,中小功率大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下,大功率迎來了新的春天,而這些應(yīng)用帶來新的課題,與之相應(yīng)的是革新的永不止步。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/121091.htm

  新興應(yīng)用帶動產(chǎn)品革新

  “雖然應(yīng)用不一,但針對家用、工業(yè)、電動汽車、高鐵等應(yīng)用對IGBT共性指標就是功率損耗盡量降低。”三菱電機功率器件制造所所長西村隆司向《中國電子報》記者表示,“同時不同應(yīng)用有不同側(cè)重,比如電動汽車和高鐵更注重產(chǎn)品的穩(wěn)定性,而工業(yè)用IGBT是高頻的干擾度要盡量減少,對于家電產(chǎn)品則是在低頻的情況下盡量減少功率損耗。”西村隆司還指出,三菱電機已經(jīng)開發(fā)第六代IGBT了,在開發(fā)新一代功率器件時首先注重的是低損耗。比方電動汽車用IGBT采用壓注模的封裝方式,過去是用盒式的方式,而壓注模的方式比盒式的方式更加先進,穩(wěn)定性更高。

  另一方面,新的應(yīng)用領(lǐng)域提出了苛刻的電氣和機械要求。“比如電動汽車功率器件必須承受很高的電應(yīng)力和沉重的機械負荷(如撞擊或震動),以及運行過程中溫度的頻繁變化。”英飛凌科技(中國)有限公司工業(yè)及多元化電子市場部高級經(jīng)理馬國偉指出,“更長使用壽命、更高功率密度,以及允許使用新一代芯片的堅固的模塊封裝,這些正是開發(fā)新的功率模塊所面臨的主要挑戰(zhàn)。”

  而參與廠商都在全力以赴。英飛凌得益于諸如超聲波焊接、優(yōu)化基板結(jié)構(gòu)或可靠的創(chuàng)新PressFIT壓接式管腳技術(shù)等不計其數(shù)的改進和創(chuàng)新,其最新的EconoPACK+D家族IGBT實現(xiàn)了更低導(dǎo)通損耗和優(yōu)化的雜散電感,可滿足新能源、電動汽車、工業(yè)等要求不斷提高的領(lǐng)域。三菱電機最新推出的家用太陽能發(fā)電用的PV-IPM,采用新型全柵型CSTBT,功率損耗更小;內(nèi)部有高速二極管;在IGBT芯片上有溫度傳感器可以防止溫度過高;體積要比過去縮小30%,產(chǎn)品可靠性和壽命比過去都有提高,同時它還具有短路保護、控制電壓欠電壓保護和過溫保護,并有相應(yīng)保護信號輸出。

  西村隆司還表示,三菱電機還將在未來推出第七代IGBT,其在結(jié)構(gòu)和制造工藝上有所改進,功率損耗比第六代還要減少30%。

  SiC應(yīng)用有望提速

  雖然目前硅是IGBT的主流,但SiC(碳化硅)及GaN(氮化鎵)“取而代之”的跡象已開始顯現(xiàn)。西村隆司在解釋其中原因時表示,應(yīng)用SiC及GaN的IGBT有一些好處,比如高鐵冷卻器就可以做得非常小,混合動力汽車或許就不需要有冷卻系統(tǒng)了,三菱電機也在這方面加快布局。“三菱電機在2010年就研發(fā)成功了裝有SiC二極管的DIPIPM,而且已應(yīng)用在三菱電機部分空調(diào)上,但還沒有實現(xiàn)大規(guī)模商用。GaN雖還沒有用在功率半導(dǎo)體內(nèi),但已應(yīng)用在通信高頻器件中。”西村隆司指出。

  英飛凌科技奧地利有限公司副總裁兼電源管理和分立器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理AndreasUrschitz也表示,在二極管領(lǐng)域,英飛凌早在10年前已量產(chǎn)SiC二極管,對此技術(shù)有高度的把握,但是仍然有一些重大的挑戰(zhàn),比如采用SiC的MOSFET器件存在可靠性等問題。而GaN材料的IGBT尚未成熟,仍然存在一些挑戰(zhàn),目前商用還比較少。

  馬國偉則更看好SiC及GaN兩種材料在小功率方面的應(yīng)用,他提到,這些應(yīng)用更需要這種超密度、超高速的器件,而用在大功率IGBT則還有些遠。而不同要求將使這些材料的應(yīng)用進展不一。馬國偉表示,SiC一個明顯的缺點就是很貴。電機驅(qū)動、風力發(fā)電等應(yīng)用不追求效率,他們追求的是輸出能力、可靠性等。而唯一會追求極高效率的應(yīng)用就是太陽能,如果能把效率提高一兩個百分點,前期投入成本、運營收入都會產(chǎn)生明顯的益處,因而前期SiC在太陽能方面的應(yīng)用更有前景。

  雖然目前SiC及GaN的材料昂貴限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但業(yè)界仍對它們的前景寄予厚望。AndreasUrschitz提到,三五年內(nèi)6英寸產(chǎn)品的推出,將是SiC實現(xiàn)大規(guī)模商用的時候。


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