InGaN-on-Si長波LED設(shè)備首次被證實
—— 制造綠光LED以及長波氮化物基LED極具挑戰(zhàn)性，一直被認為是行業(yè)發(fā)展的一個里程碑
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位于美國亞利桑那州鳳凰城的玫瑰街實驗室是一家產(chǎn)品和服務供應商，為私人所有，服務于可再生能源和半導體市場。它宣稱第一個證實了基于硅片可以生產(chǎn)長波LED設(shè)備，其相比于傳統(tǒng)藍寶石或碳化硅襯底具有很大的成本優(yōu)勢。與紫外線和藍光LED相比，由于量子效率的下降，制造綠光LED以及長波氮化物基LED極具挑戰(zhàn)性，一直被認為是行業(yè)發(fā)展的一個里程碑。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/121448.htm玫瑰街實驗室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)將負責綠光LED和長波LED的封裝。FCL在封裝半導體功率器件方面具有豐富的經(jīng)驗，其分布于全球的制造廠將為該實驗室提供專屬的LED設(shè)備封裝解決方案。
玫瑰街實驗室還初步證實了可將光線調(diào)整為多色光和白光光譜。該公司表示，InGaN-on-Si長波LED具有高強度、低能耗和商業(yè)成本極低的優(yōu)點，預計未來2-3年中該技術(shù)可實現(xiàn)在200毫米硅襯底上生產(chǎn)InGaN-on-Si的LED設(shè)備，商業(yè)前景廣闊。
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