IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

        全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET® MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網(wǎng)通設備等。

        新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3雙器件在每一個封裝上都配備了一對功率MOSFET， 提供共汲極和半橋拓撲的靈活性。這些器件利用IR最新的低壓硅技術(shù) (N和P) 來實現(xiàn)超低損耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范圍內(nèi)，配備了兩個典型導通電阻 (RDS(on)) 均為33m?的MOSFET。

        IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新型PQFN雙器件適用于開關(guān)和直流應用，為客戶提供高密度、低成本的解決方案。如今，IR新增了這些封裝，能夠提供一系列低壓PQFN產(chǎn)品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驅(qū)動能力達到4.5V或2.5V的器件，以及單器件或雙器件，它們都擁有極低的導通電阻。”

        這個雙PQFN系列包括專為高側(cè)負荷開關(guān)優(yōu)化的P通道器件，可提供更為簡便的驅(qū)動解決方案。這些器件的封裝厚度不到1 mm，與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)相兼容，并且擁有符合行業(yè)標準的占位空間，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定  (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格