爾必達(dá)25nm制程4Gbit內(nèi)存顆粒開發(fā)完成

　　爾必達(dá)曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內(nèi)存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發(fā)表公告稱，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成，芯片面積在同類產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。

　　新的內(nèi)存顆粒型號為EDJ4104BCBG/EDJ4108BCBG，位寬分別為4bit/8bit，爾必達(dá)稱相比自家之前的30nm制程4Gbit DDR3內(nèi)存顆粒，1枚晶圓可切割出的芯片數(shù)量增加了45%，極大降低了生產(chǎn)成本。同時運行、待機時的電流值分別降低了25-30%和30-50%，最高傳輸速度可達(dá)1866Mbps以上(即此顆粒制成的內(nèi)存頻率最高1866MHz)，默認(rèn)電壓為1.5V，同時有低電壓1.35V的版本。

　　爾必達(dá)表示新的內(nèi)存顆粒將在今年12月份開始試產(chǎn)，預(yù)計也將在同月開始量產(chǎn)并批量出貨。