爾必達(dá)25nm制程4Gbit內(nèi)存顆粒開發(fā)完成
—— 芯片面積在同類產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小
爾必達(dá)曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內(nèi)存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發(fā)表公告稱,采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成,芯片面積在同類產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/123823.htm新的內(nèi)存顆粒型號為EDJ4104BCBG/EDJ4108BCBG,位寬分別為4bit/8bit,爾必達(dá)稱相比自家之前的30nm制程4Gbit DDR3內(nèi)存顆粒,1枚晶圓可切割出的芯片數(shù)量增加了45%,極大降低了生產(chǎn)成本。同時運行、待機時的電流值分別降低了25-30%和30-50%,最高傳輸速度可達(dá)1866Mbps以上(即此顆粒制成的內(nèi)存頻率最高1866MHz),默認(rèn)電壓為1.5V,同時有低電壓1.35V的版本。
爾必達(dá)表示新的內(nèi)存顆粒將在今年12月份開始試產(chǎn),預(yù)計也將在同月開始量產(chǎn)并批量出貨。
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