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安森美半導體推出有源時鐘產(chǎn)生器IC

—— 用于降低便攜應用的電磁干擾
作者: 時間:2011-10-14 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商半導體(ON Semiconductor)推出新系列的有源時鐘產(chǎn)生器集成電路(),管理時鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI),為所有依賴于時鐘的信號提供降低全系統(tǒng)級的EMI。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/124593.htm

  

 

  新的 低壓互補金屬氧化物半導體(LVCMOS) 降低峰值EMI時鐘產(chǎn)生器非常適合用于空間受限的應用,如便攜電池供電設備,包括手機及平板電腦。這些便攜設備的EMI/RFI可能是一項重要挑戰(zhàn),而符合相關規(guī)范是先決條件。這些通用新器件采用小型4引腳WDFN封裝,尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。這些擴頻型時鐘產(chǎn)生器提供業(yè)界最小的獨立式有源方案,以在時鐘源和源自時鐘源的下行時鐘及數(shù)據(jù)信號處降低EMI/RFI。

  支持的輸入電壓范圍為1.8伏(V)至3.3 V,典型偏差為0.45%至1.4%,在時鐘源降低EMI/RFI的頻率范圍在15兆赫茲(MHz)至60 MHz。工作溫度范圍為-20 ºC至+85 ºC。

  半導體定制工業(yè)及時序產(chǎn)品副總裁Ryan Cameron說:“需要符合EMI規(guī)范同時控制成本及把印制電路板(PCB)占用面積減至最小,是移動應用的重要挑戰(zhàn)。我們新的降低EMI 克服這些挑戰(zhàn),提供在時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘及數(shù)據(jù)信號處降低EMI/RFI的高性價比方案。設計工程師在設計周期及早采用這些器件,可無須其他方案及加入成本不菲的額外PCB層或屏蔽來處理EMI/RFI問題。”

  半導體計劃在2012年第1季度推出這系列更多針對不同頻率范圍及派生版本的。



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