20nm最強制程 三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

　　來自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。

　　新的內(nèi)存顆粒最大的亮點是采用目前存儲芯片最先進的20nm制程工藝打造，幾乎達(dá)到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限。

　　相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與NAND閃存的特點，具有斷電不掉數(shù)據(jù)，耐久性好，速度快等優(yōu)點;根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來回轉(zhuǎn)換來存儲數(shù)據(jù)。

　　預(yù)計三星將在明年2月在美國舊金山召開的ISSCC會議上公布這種新內(nèi)存的具體細(xì)節(jié)。