英飛凌推出創(chuàng)新型H-PSOF封裝技術(shù)

　　英飛凌科技股份公司近日推出一種創(chuàng)新型封裝技術(shù)，為純電動汽車和混合動力汽車等要求苛刻的汽車電子應(yīng)用帶來更大的電流承受能力和更高效率。新推出的TO封裝符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)H-PSOF(散熱型塑料小外形扁平引線)。首批推出的采用H-PSOF封裝技術(shù)的產(chǎn)品是40V OptiMOS T2功率晶體管，它們的漏極電流高達(dá)300A，導(dǎo)通電阻(RDS(on))低至0.76毫歐。

　　性能更高的功率電子元器件, 可幫助汽車系統(tǒng)設(shè)計人員達(dá)到更高的強制性的汽車燃油效率標(biāo)準(zhǔn)，同時滿足苛刻的總體排放要求。為達(dá)到這些標(biāo)準(zhǔn)，需要采用電流承受能力超過200A，導(dǎo)通電阻低于1毫歐的功率MOSFET，以降低傳輸損耗并提高總體效率。迄今為止，汽車市場尚未推出滿足這些需求的MOSFET。

　　通過推出H-PSOF封裝技術(shù)，英飛凌設(shè)立了一個新的里程碑，可提供漏極電流高達(dá)300A，導(dǎo)通電阻低至0.76毫歐的40V功率MOSFET。此外，相比通常用于同類汽車應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝(TO-263)而言，H-PSOF封裝的尺寸更小，高度更低。 H-PSOF封裝的面積比目前的D2PAK小20%左右，高度幾乎是D2PAK的一半。

　　英飛凌科技股份公司汽車電子事業(yè)部總裁Jochen Hanebeck表示：“通過開發(fā)創(chuàng)新型H-PSOF封裝，加上其深厚的汽車系統(tǒng)專業(yè)知識，英飛凌進(jìn)一步增強了其在汽車和電力電子領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。這一面向大電流MOSFET的全新封裝，能夠讓我們的汽車系統(tǒng)供應(yīng)商客戶設(shè)計出能效和可靠性更高的汽車電子產(chǎn)品，從而達(dá)到汽車油耗和排放的需求。”

　　H-PSOF封裝可幫助汽車電子制造商更好地服務(wù)于大電流應(yīng)用市場。這些應(yīng)用包括混合動力電動汽車的電池管理、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、汽車發(fā)電機，以及其它可提高燃油效率和降低排放的大負(fù)載應(yīng)用。美國市場研究公司Strategy Analytics在最近發(fā)布的一份研究報告中指出，一個快速增長的應(yīng)用領(lǐng)域是汽車EPS和啟停系統(tǒng)。預(yù)計到2016年，該市場的銷量將從2011年的4700萬套增至1.1億套以上，年均復(fù)合增長率約為19%。

　　開發(fā)H-PSOF封裝的主要目標(biāo)是降低封裝電阻，并在具備較大電流承受能力的D2PAK 的基礎(chǔ)之上，進(jìn)一步提高封裝的電流承受能力。

　　H-PSOF封裝還具備組裝和制造上的優(yōu)勢。其特殊的設(shè)計可確保良好的可焊性，從而實現(xiàn)可靠的焊接。此外，組裝和制造廠還能利用自動光學(xué)檢測(AOI)設(shè)備控制焊接引線，而AOI是表面貼裝工藝(SMT)生產(chǎn)線中常有的一部分。