瑞薩與臺積電聯(lián)手開發(fā)40nm閃存混載技術(shù)

　　繼長期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺積電(TSMC)合作開發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù)，并委托臺積電生產(chǎn)。車載MCU也將成為外包對象。瑞薩表示，到2016年度將把半導(dǎo)體整體的外包生產(chǎn)比例由2011年度的15%提高到30%。

　　日本國內(nèi)工廠進一步空洞化?

　　雖然日本企業(yè)的SoC業(yè)務(wù)相繼出現(xiàn)因承受不了巨額設(shè)備投資而轉(zhuǎn)為外包的情況，但要求高品質(zhì)的車載MCU等以前一直被認為難以實施外包生產(chǎn)?！扒闆r因東日本大地震而發(fā)生了變化”(巖元)。瑞薩生產(chǎn)MCU的主力工廠——那珂工廠受災(zāi)，產(chǎn)品供應(yīng)欠賬的情況持續(xù)了大約半年。結(jié)果，“以汽車廠商為首的很多客戶要求不僅在日本國內(nèi)生產(chǎn)，還要在海外進行多元化生產(chǎn)”(巖元)。

　　地震以后，瑞薩就針對200mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的0.15μm工藝以前的MCU，構(gòu)建能由美國GLOBALFOUNDRIES公司多元化生產(chǎn)的體制。2011年底，瑞薩決定將300mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的90nm工藝閃存混載MCU委托給臺積電生產(chǎn)。此次進一步就40nm工藝產(chǎn)品與臺積電展開合作。由臺積電生產(chǎn)的MCU的供貨時間方面，90nm工藝產(chǎn)品為2013年度，40nm工藝產(chǎn)品為2014年度。

　　由此可見，瑞薩與臺積電合作是為了實現(xiàn)多元化生產(chǎn)，瑞薩還將繼續(xù)堅持自主生產(chǎn)。90nm工藝產(chǎn)品將在鶴岡工廠生產(chǎn)，40nm工藝產(chǎn)品將在那珂工廠生產(chǎn)。不過，可以認為半導(dǎo)體外包生產(chǎn)完全有可能以此為契機進一步加快步伐。如果要求高品質(zhì)的車載MCU等產(chǎn)品也能夠外包生產(chǎn)，那么在更多的半導(dǎo)體產(chǎn)品上利用低成本的代工企業(yè)將成為一種趨勢。今后，日本國內(nèi)工廠有可能進一步空洞化。

　　另外，部分報道稱瑞薩將把鶴岡工廠出售給臺積電，瑞薩對此不予置評。

　　目的在于制造技術(shù)的授權(quán)

　　瑞薩與臺積電合作的目的還在于將已在MCU業(yè)務(wù)中構(gòu)建的生態(tài)系統(tǒng)擴展到SoC領(lǐng)域。瑞薩2011年的MCU市場份額為27%，車載MCU的份額高達42%，已經(jīng)建立了軟件開發(fā)環(huán)境等生態(tài)系統(tǒng)。但瑞薩對SoC設(shè)計環(huán)境的影響力不是很高。因為SoC的設(shè)計環(huán)境大多不是以瑞薩的制造技術(shù)為前提，而是以TSMC等代工企業(yè)的制造技術(shù)為前提構(gòu)建的。

　　因此，此次合作將把40nm工藝閃存混載技術(shù)作為臺積電制造技術(shù)的菜單之一。基礎(chǔ)的CMOS技術(shù)將使用臺積電的40nm工藝技術(shù)，在此基礎(chǔ)上追加瑞薩自主的SG-MONOS(split-gatemetal-oxide-nitride-oxide-silicon)型閃存混載技術(shù)。如果該制造技術(shù)能夠被臺積電的客戶廣泛使用，瑞薩很可能還能獲得SG-MONOS技術(shù)的授權(quán)收入。