我國存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的形勢與機(jī)遇

　　1、發(fā)展形勢

　　傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)DRAM、Flash需要設(shè)計(jì)和制造技術(shù)緊密配合，已形成少數(shù)大型IDM公司壟斷的局面，在主流分立產(chǎn)品上我國正面切入的難度相當(dāng)大。

　　目前，國內(nèi)外客戶對高速SRAM的需求量越來越大，其主要應(yīng)用包括USB3.0、甚高速數(shù)字用戶環(huán)路(VDSL)、 機(jī)頂盒(STB)和基帶(Baseband)等。但高速SRAM IP和低功耗SRAM IP絕大部分由歐美公司提供，許可費(fèi)用昂貴。

　　2、主要挑戰(zhàn)

　　目前，我國企業(yè)在產(chǎn)品推廣中遇到的挑戰(zhàn)主要在市場端。由于國內(nèi)缺少制造和封裝測試環(huán)節(jié)，晶圓以及封裝測試都需要外包，因此造成產(chǎn)量小，成本居高不下。雖然在高端市場(服務(wù)器、工業(yè)級(jí)應(yīng)用)贏得一定的客戶，但市場容量小，不易形成規(guī)模;在中低端市場(平板電腦,機(jī)頂盒)有大量客戶，對成本很敏感，雖然形成了相對的量，但面臨國際大廠激烈競爭，推廣難，毛利低。我國企業(yè)作為市場中的后進(jìn)入者，還未打開知名度，需要拿高品質(zhì)的產(chǎn)品到價(jià)格敏感的消費(fèi)市場打拼;對一些高端客戶，作為新公司、新品牌，必然受到很多挑戰(zhàn)。如何不斷降低產(chǎn)品成本以提升產(chǎn)品的綜合競爭力是遇到的主要困難。

　　如今半導(dǎo)體市場的推動(dòng)力已經(jīng)由PC轉(zhuǎn)向消費(fèi)電子產(chǎn)品。PC過去基本是企業(yè)采購、單位采購。因此從企業(yè)角度說，對計(jì)算機(jī)只要滿足使用要求，它并不會(huì)對計(jì)算機(jī)提出不斷升級(jí)內(nèi)存要求。而對于消費(fèi)電子產(chǎn)品，手機(jī)、MP3/MP4、平板電腦、電視機(jī)、音響、都屬于個(gè)人或家庭消費(fèi)，對產(chǎn)品的要求越來越嚴(yán)格、價(jià)格也是越來越低。如果芯片價(jià)格不降低，質(zhì)量要求不嚴(yán)格，就很難賣出去，這實(shí)際上也是工業(yè)的推動(dòng)力發(fā)生了轉(zhuǎn)變。

　　3、發(fā)展機(jī)遇

　　(1)對于低次代應(yīng)用，發(fā)揮我們貼近市場和服務(wù)支持的優(yōu)勢，芯片設(shè)計(jì)加制造的模式是有一定機(jī)會(huì)的，但需強(qiáng)化存儲(chǔ)器芯片制造技術(shù);

　　(2)SRAM與“宿主”關(guān)系密切，結(jié)合高端芯片的研發(fā)，從設(shè)計(jì)技術(shù)的角度開發(fā)并優(yōu)化嵌入式SRAM IP是一個(gè)不錯(cuò)的切入點(diǎn);

　　(3)新型存儲(chǔ)器在未來5-10年當(dāng)中可能成長為與Flash并駕齊驅(qū)的主流技術(shù)之一，甚至有可能成為“Universal Memory”，我們應(yīng)該抓住這個(gè)難得的技術(shù)路線轉(zhuǎn)移的機(jī)會(huì)，部署新型存儲(chǔ)器的研發(fā)。

　　(4)SRAM由于讀寫速度的提升和存儲(chǔ)空間的增大，其功耗在芯片功耗中所占的比重越來越高。在SoC芯片中，位于數(shù)據(jù)通路關(guān)鍵路徑上的SRAM訪問速度直接制約芯片系統(tǒng)速度，其密度也直接影響芯片的面積和成本，而這依賴于先進(jìn)的設(shè)計(jì)技術(shù)和精致的物理實(shí)現(xiàn)技術(shù)。SRAM成了制約SoC速度(頻率)和功耗、面積的嚴(yán)重瓶頸。因此，定制關(guān)鍵路徑上的高速低功耗高密度SRAM非常有利于SoC芯片性能的整體提高，功耗的降低和成本的減少。

　　國際上高端CPU及SoC芯片公司(如IBM、Intel、AMD、SUN)都有自己的SRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和設(shè)計(jì)能力。市場上銷售的SRAM編譯器(如Foundry提供的)只能滿足中低端需要，速度慢于高端SoC芯片和CPU公司的SRAM 50%，面積大且成本高。因此，采用自主的專利技術(shù)和可配置的高速低功耗高密度SRAM及編譯器，設(shè)計(jì)高性能SRAM高速總線接口和高速緩存接口，提高SoC芯片性能，降低功耗和面積成本，對提高國產(chǎn)中高端SoC芯片的競爭力十分必要。