未來的Flash記憶體

　　Flash記憶體加工尺寸正越來越小，容量越來越高，耗電量越來越低，但與CPU類似，到達(dá)某個(gè)尺寸后它也會(huì)迎來瓶頸，優(yōu)勢將變成劣勢。現(xiàn)在市場上已有基于25nm或20nm制造工藝的SSD，東芝在上個(gè)月宣布了基于19nm制造工藝的SSD生產(chǎn)線。目前估計(jì)Flash記憶體制造尺寸最小為8nm，可能要到20年代后期才可能出現(xiàn)。

　　加州圣迭戈和微軟研究人員的一篇論文假 設(shè)NAND浮置柵極晶體管可用6.5nm制造工藝生產(chǎn)，那么一塊SLC(單層存儲(chǔ)單元)Flash芯片容量能超過500 GB，而TCL(三層存儲(chǔ)單元)Flash芯片容量能達(dá)到1700 GB——一個(gè)SSD能采用最多數(shù)百個(gè)Flash芯片，即它的容量可達(dá)到數(shù)百TB。

　　但不幸的是，6.5nm Flash芯片的讀寫延遲會(huì)顯著增加，而低讀寫延遲是SSD相對于機(jī)械硬盤的主要優(yōu)勢。