左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

　　繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。

　　格羅方德全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁MikeNoonen認(rèn)為，格羅方德20奈米LPM技術(shù)極具成本效益，且相較于28奈米，可提升40%效能及兩倍閘極密度。

　　ARM執(zhí)行副總裁暨處理器部門與實(shí)體矽智財(cái)(IP)部門總經(jīng)理SimonSegars表示，此次合作將同步優(yōu)化ARM與格羅方德技術(shù)，為智慧型手機(jī)、平板裝置與個(gè)人電腦提供高效能ARM處理器。在雙方密切配合之下，也將加速開發(fā)新世代20奈米低耗電(LPM)與FinFET制程技術(shù)，確?？蛻裟塬@得多種實(shí)作選項(xiàng)，順利將半導(dǎo)體發(fā)展往前推進(jìn)兩個(gè)世代。

　　事實(shí)上，ARM不久前才與全球晶圓代工龍頭--臺(tái)積電延續(xù)20奈米先進(jìn)制程合作計(jì)劃，針對(duì)ARMv8架構(gòu)下的新一代64位元ARM處理器、Artisan實(shí)體IP及FinFET制程技術(shù)進(jìn)行最佳化，以應(yīng)用于要求性能與節(jié)能兼具的高階行動(dòng)裝置、企業(yè)級(jí)伺服器。

　　未屆一個(gè)月，ARM旋即又與格羅方德攜手，著手開發(fā)完整Artisan實(shí)體IP平臺(tái)，包含StandardCell、記憶體編譯器和封裝堆疊(PoP)IP解決方案等，可見其積極鞏固行動(dòng)市場(chǎng)地位、防堵英特爾(Intel)后來居上，并擴(kuò)展個(gè)人電腦與企業(yè)級(jí)設(shè)備版圖的雄心。

　　格羅方德全球行銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁MikeNoonen強(qiáng)調(diào)，ARM技術(shù)已整合至全球許多產(chǎn)量最高的行動(dòng)裝置中，在今后數(shù)年內(nèi)的重要性只會(huì)不斷提高。因此，藉由格羅方德先進(jìn)制程知識(shí)，結(jié)合低功耗ARM中央處理器(CPU)和GPU核心架構(gòu)，將為雙方未來開辟行動(dòng)裝置市場(chǎng)版圖，帶來絕佳競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

　　據(jù)了解，格羅方德已致力打造ARMCortex-A系列處理器數(shù)年，包含一系列28奈米制程方案，以及現(xiàn)正于紐約Malta晶圓廠實(shí)作的20奈米測(cè)試晶片。新合約將延續(xù)既有成果，進(jìn)一步推動(dòng)IP平臺(tái)生產(chǎn)，并助力客戶迅速轉(zhuǎn)移至三維(3D)FinFET電晶體，開發(fā)更具前瞻性的ARM架構(gòu)處理器，以便在智慧型手機(jī)、平板裝置與超薄筆電中，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的系統(tǒng)效能和電源效率。