UBM內(nèi)存拆解：神秘手機(jī)驚現(xiàn)PCM

 　　非易失性相變內(nèi)存(phase-change memory，PCM)已經(jīng)悄悄現(xiàn)身在手機(jī)產(chǎn)品中?根據(jù)工程顧問(wèn)機(jī)構(gòu)UBM TechInsights的一份拆解分析報(bào)告，發(fā)現(xiàn)在某款神秘手機(jī)中，有一顆由三星電子(Samsung Electronics)出品的多芯片封裝(multi-chip package，MCP)內(nèi)存，內(nèi)含與NOR閃存兼容的非易失性相變內(nèi)存芯片。

　　TechInsights拆解的手機(jī)產(chǎn)品，基于客戶機(jī)密不透露型號(hào)與廠牌;該機(jī)構(gòu)表示，要等到與客戶之間的工作告一段落，才能公布該手機(jī)到底是哪一款。三星曾于4月時(shí)透露，該公司將在第二季出貨一款內(nèi)含512Mbit非易失性相變內(nèi)存芯片的MCP;當(dāng)時(shí)三星并未透露該產(chǎn)品將采用哪種制程技術(shù)，僅表示該產(chǎn)品“相當(dāng)于40納米NOR閃存。”

　　業(yè)界認(rèn)為三星將采用65納米至60納米制程生產(chǎn)上述內(nèi)存;而拆解分析報(bào)告以顯微鏡所量測(cè)出的半間距(half-pitch)內(nèi)存長(zhǎng)度(如下圖)，是每微米(micron)8個(gè)記憶單元(cell)，就證實(shí)了以上的猜測(cè)。

　　三星512Mbit相變化RAM的橫切面

　　現(xiàn)在已經(jīng)被美光(Mciron)合并的恒憶(Numonyx)，在2008年發(fā)表了一款90納米制程128Mbit非易失性相變內(nèi)存，并在2010年4月以O(shè)mneo系列串行/并列存取內(nèi)存問(wèn)世;但是到目前為止，該公司都未透露任何有關(guān)該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)案或是量產(chǎn)計(jì)劃。此外恒憶也開(kāi)發(fā)了一款45納米制程的1Gbit非易失性相變內(nèi)存，但這款原本預(yù)期今年上市的產(chǎn)品，迄今也未有后續(xù)消息。