內(nèi)存市場將迎來「超級周期」，產(chǎn)業(yè)資本的饕餮盛宴

根據(jù)摩根士丹利的最新報告，全球內(nèi)存市場在 2025 年將迎來一次前所未有的供需失衡，這一現(xiàn)象主要由人工智能技術(shù)的快速發(fā)展和過去兩年內(nèi)存行業(yè)資本支出不足所驅(qū)動。

報告預(yù)計，2025 年 HBM（高帶寬內(nèi)存）的供應(yīng)不足率將達(dá)到-11%，而整個 DRAM 市場的供應(yīng)不足率將高達(dá)-23%，特別是 HBM 的需求量預(yù)計將大幅增加，可能占總 DRAM 供應(yīng)的 30%。

這一供需失衡的情況預(yù)示著內(nèi)存價格的顯著上漲，報告中指出，商品存儲產(chǎn)品的價格在 2024 年將以每季度兩位數(shù)的速度上漲，而 2025 年 HBM 的價格將更高，服務(wù)器 DRAM 和超高密度 QLC 固態(tài)硬盤將引領(lǐng)這一價格上漲趨勢。

內(nèi)存市場的這一「超級周期」將為行業(yè)內(nèi)的戰(zhàn)略地位公司如 SK 海力士和三星帶來市場份額的進(jìn)一步增長。

摩根士丹利已將這兩家公司的 2024-2025 年的每股收益預(yù)測提高了 24%-82%，較最新的預(yù)期共識高出 51%-54%。

SK 海力士預(yù)計將在 2025 年占據(jù) HBM 市場的最大份額，其股票目標(biāo)價被提高 11% 至 30 萬韓元，而三星電子的目標(biāo)價被提高至 10.5 萬韓元。

內(nèi)存市場的這一輪超級周期與以往有所不同，由于當(dāng)前周期中行業(yè)的資本支出遠(yuǎn)低于維持產(chǎn)能所需的水平，自 2022 年第三季度以來產(chǎn)能一直在下降。

這種投資的缺乏正發(fā)生在內(nèi)存供應(yīng)鏈迅速轉(zhuǎn)移到 HBM 之際，HBM 的生產(chǎn)每比特所需的晶圓容量是普通 DRAM 的兩倍，其生產(chǎn)良率也較低，進(jìn)一步加劇了供需失衡的情況。

三大內(nèi)存廠加緊布局 HBM

SK 海力士公布了 HBM 發(fā)展路線圖，該公司副總裁 Kim Chun-hwan 透露，計劃在 2024 上半年量產(chǎn) HBM3e，并向客戶交付 8 層堆疊樣品，在 6 層堆棧 HBM3e 配置中，每層堆?？商峁?1.2 TB/s 的通信帶寬，8 層堆疊將進(jìn)一步提升 HBM 內(nèi)存的帶寬。

Kim Chun-hwan 表示，在不斷升級的客戶期望的推動下，存儲行業(yè)正在面臨激烈的生存競爭。隨著制程工藝節(jié)點的縮小接近極限，存儲器廠商越來越關(guān)注新一代存儲架構(gòu)和工藝，以給客戶應(yīng)用系統(tǒng)提供更高的性能。為此，SK 海力士已經(jīng)啟動了 HBM4 的開發(fā)，計劃于 2025 年提供樣品，并于次年量產(chǎn)。

根據(jù)美光提供的信息，與前幾代 HBM 相比，HBM4 每層堆棧的理論峰值帶寬將超過 1.5 TB/s。為了實現(xiàn)這樣的帶寬，在保持合理功耗的同時，HBM4 的目標(biāo)是實現(xiàn)大約 6GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。

三星也有發(fā)展 HBM4 的時間表，計劃于 2025 年提供樣品，并于 2026 年量產(chǎn)。據(jù)三星高管 Jaejune Kim 透露，該公司 HBM 產(chǎn)量的一半以上是定制化產(chǎn)品，未來，定制 HBM 方案的市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。通過邏輯集成，量身定制的 HBM 對于滿足客戶個性化需求至關(guān)重要。

三星和 SK 海力士之間的競爭正在升溫。

一些市場觀察人士表示，三星在 HBM 芯片開發(fā)方面落后于 SK 海力士，為了在新接口標(biāo)準(zhǔn) CXL 開發(fā)中占據(jù)優(yōu)勢地位，三星加快了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品布局。

SK 海力士表示，計劃加大對高帶寬內(nèi)存和 DDR5 芯片的投資，以適應(yīng)人工智能市場的增長需求。「與 2023 年相比，2024 年的資本支出將有所增加?！覀儗⒆畲笙薅鹊靥嵘Y金利用效率」，SK 海力士副總裁兼首席財務(wù)官金宇賢表示：「在 2023 年投資金額的范圍內(nèi)，我們根據(jù)產(chǎn)品優(yōu)先順序調(diào)整了資本支出，2024 年，我們將更多地關(guān)注轉(zhuǎn)換制程工藝，而不只是增加產(chǎn)能?！?/p>

金宇賢表示，SK 海力士將努力擴(kuò)大第四代和第五代 10nm 級制程內(nèi)存芯片的比例，到 2024 年底，這些新品將占據(jù)該公司 DRAM 產(chǎn)量的一半以上。不過，他表示，要達(dá)到 2022 年第四季度的產(chǎn)能水平，還需要相當(dāng)長時間。

SK 海力士對引領(lǐng) HBM 市場充滿信心，預(yù)測未來 5 年的年均增長率將達(dá)到 60%~80%。該公司 DRAM 營銷主管 Park Myung-soo 表示：「我們 2024 年的 HBM3 和 HBM3e 芯片產(chǎn)能已經(jīng)售罄。根據(jù)客戶和市場觀察人士的說法，我們的 HBM3 產(chǎn)能份額非常高?！?/p>

據(jù) TrendForce 統(tǒng)計，2023 年第三季度，SK 海力士擠下三星電子，成為全球最大的服務(wù)器 DRAM 廠商。報告顯示，2023 年第三季度，SK 海力士服務(wù)器 DRAM 銷售額達(dá)到 18.5 億美元，拿下 49.6% 的市場份額，穩(wěn)居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的服務(wù)器 DRAM 銷售額為 13.13 億美元，市占率為 35.2%，同期內(nèi)，美光的服務(wù)器 DRAM 銷售額為 5.6 億美元，市占率為 15.0%，排名第三。

需要指出是，以上統(tǒng)計數(shù)字僅是傳統(tǒng)服務(wù)器搭載的 DDR5 內(nèi)存，不包括用于 AI 服務(wù)器的 HBM，若將 HBM 銷售計算在內(nèi)，SK 海力士領(lǐng)先三星電子的幅度會更大。

就整體 DRAM 模塊市場而言，三星電子仍穩(wěn)居 DRAM 霸主地位，但 SK 海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率為 21.5%。

排名內(nèi)存行業(yè)第三位的美光也在加緊布局 AI 服務(wù)器市場，該公司計劃在 2024 年第一季度量產(chǎn) HBM3e，以搶攻英偉達(dá)的超級計算機(jī) DGX GH200 商機(jī)。美光技術(shù)開發(fā)事業(yè)部資深副總裁 Naga Chandrasekaran 表示，采用 EUV 技術(shù)量產(chǎn)的 1-gamma 制程產(chǎn)品，正在研發(fā)過程中，預(yù)計于 2025 年量產(chǎn)。

業(yè)界人士指出，在 HBM 產(chǎn)品開發(fā)方面，雖然美光落后三星和 SK 海力士近一年時間，但在新一代 HBM3e 產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)進(jìn)度方面，該公司加快了節(jié)奏，有望在 HBM 競賽中扳回一城。