三星領(lǐng)先臺積 14納米進(jìn)化

　　三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。

　　韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測試芯片。

　　三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構(gòu)，試產(chǎn)成功的14納米FinFET測試芯片。

　　晶圓代工行動裝置芯片商機(jī)大，F(xiàn)inFET技術(shù)可以解決不斷微縮的納米芯片的漏電問題。三星原本預(yù)計14納米FinFET于2014年量產(chǎn)，與臺積電規(guī)劃的16納米FinFET同步。隨著三星14納米FinFET試產(chǎn)芯片推出，半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，三星FinFET不排除提前半年量產(chǎn)。

　　臺積電面臨三星來勢洶洶的競爭外，格羅方德9月也宣布推出以FinFET導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計2013年底進(jìn)入客戶試產(chǎn)階段，2014年正式量產(chǎn);聯(lián)電則預(yù)計2014年試產(chǎn)。

　　臺積電為了防堵競爭對手，預(yù)計使用安謀首款64位元處理器「v8」來測試16納米FinFET制程，預(yù)計明年11月推出首款測試芯片，最快2014年量產(chǎn)。臺積電南科14廠將作為第1個量產(chǎn)16納米FinFET基地，再下一個世代的10納米FinFET制程，預(yù)計于2015年底推出。