DRAM現(xiàn)貨市場買氣熱絡(luò) 合約價(jià)呈上漲格局

　　根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查顯示，繼11月下旬DRAM合約價(jià)格小跌3.17%，受到現(xiàn)貨價(jià)格的激勵(lì)，12月上旬的模組價(jià)格亦同步呈現(xiàn)上揚(yáng)走勢，4GB均價(jià)回到US$15.5水位，小漲1.64%;2GB模組均價(jià)同樣受惠，回到US$8.9水位，漲幅同樣有1.71%。觀察此波上漲趨勢，雖然幅度仍小，但在需求端持續(xù)低迷的情況下還能夠止住跌勢，足以顯示PCOEM端在歷經(jīng)漫長的庫存調(diào)節(jié)之后總算回到相對(duì)健康的水位，買貨意愿亦逐步提高。在供給端方面，目前正是各家DRAM廠執(zhí)行制程轉(zhuǎn)進(jìn)的時(shí)間點(diǎn)，兩家韓系廠由原先供貨的3X奈米逐步轉(zhuǎn)往生產(chǎn)難度更高的2X奈米制程，美系廠美光亦逐步拉高3X奈米的生產(chǎn)數(shù)量，現(xiàn)在正處于新舊制程世代交替的銜接點(diǎn)，現(xiàn)貨市場還能看到某些品項(xiàng)顆粒供貨吃緊，帶動(dòng)價(jià)格往上攀升。

　　今年以來受到DRAM持續(xù)供過于求的影響，現(xiàn)貨市場2Gb顆粒單價(jià)普遍呈現(xiàn)跌勢，甚至在10月下旬最低點(diǎn)來到US$0.817美元，直到12月開始起漲，至今與最低點(diǎn)相較已經(jīng)呈現(xiàn)超過15%的漲幅。對(duì)合約市場而言，現(xiàn)貨價(jià)格仍具領(lǐng)先指針，再加上9月份各廠的減產(chǎn)效應(yīng)陸續(xù)發(fā)酵，同時(shí)將生產(chǎn)的重心移向行動(dòng)式內(nèi)存，TrendForce預(yù)估減產(chǎn)持續(xù)進(jìn)行前提下，供需間的產(chǎn)量將逐步趨近平衡，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存持續(xù)了半年以上的跌勢可望暫時(shí)休止。

　　2013年DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出大減兩成，制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度放緩趨勢確立

　　由于DRAM產(chǎn)業(yè)連年供過于求使得此產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為”燒錢事業(yè)”代名詞，近期廠商擴(kuò)大產(chǎn)能與制程微縮，雖然可進(jìn)一步降低成本，但由于競爭仍然激烈，廠商能夠獲利的機(jī)會(huì)有限，每年巨額的資本支出就像是雙面刃，一方面若是縮減投資金額恐造成成本競爭力的不足，但若是過度投資，除了現(xiàn)金流的壓力以外，亦極有可能導(dǎo)致市場的供給過剩，造成先前投資無法回收。2012年由于需求面受到個(gè)人計(jì)算機(jī)出貨持續(xù)萎縮的影響，大部分DRAM廠都面臨財(cái)務(wù)虧損窘境，除了調(diào)整產(chǎn)品組合以外，競爭力較低的廠商為了保存手頭上僅有的營運(yùn)現(xiàn)金，多以逐步減產(chǎn)來做為因應(yīng)之道。

　　對(duì)于2013年的資本支出計(jì)劃，再度縮減投資金額已獲得業(yè)界共識(shí)。以產(chǎn)業(yè)龍頭三星半導(dǎo)體為例，由于垂直整合策略產(chǎn)生良好綜效，成為今年度唯一獲利的DRAM廠商，為了要對(duì)市況做出最好的反應(yīng)，過去三星總是在其他廠商縮手投資金額時(shí)逆向大增資本支出，今年卻一反常態(tài)，除了進(jìn)一步將PCDRAM生產(chǎn)轉(zhuǎn)向MobileDRAM之外，同時(shí)也宣布將大幅縮減明年的資本支出，預(yù)估與今年相較減幅達(dá)48%，總金額僅有1.1億美元為歷年來最低。

　　其他DRAM廠亦在明年紛紛下修資本支出，根據(jù)TrendForce的調(diào)查，2013年整體DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出與2012年相較再度呈現(xiàn)21%的減幅，此舉將影響制程轉(zhuǎn)進(jìn)的進(jìn)度，3X奈米制程仍是2013年的主流，相較于過往一年可見2個(gè)世代制程的交替已不復(fù)見，制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度趨緩已是產(chǎn)業(yè)心照不宣的共識(shí)。由于DRAM產(chǎn)業(yè)的獲利模式受到需求端劇烈變化而產(chǎn)生結(jié)構(gòu)性的改變，唯有供給端提出更有彈性的調(diào)整策略來因應(yīng)，否則將很快面臨淘汰的命運(yùn)。