DRAM現(xiàn)貨市場買氣熱絡 合約價呈上漲格局

　　根據全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，繼11月下旬DRAM合約價格小跌3.17%，受到現(xiàn)貨價格的激勵，12月上旬的模組價格亦同步呈現(xiàn)上揚走勢，4GB均價回到US$15.5水位，小漲1.64%;2GB模組均價同樣受惠，回到US$8.9水位，漲幅同樣有1.71%。觀察此波上漲趨勢，雖然幅度仍小，但在需求端持續(xù)低迷的情況下還能夠止住跌勢，足以顯示PCOEM端在歷經漫長的庫存調節(jié)之后總算回到相對健康的水位，買貨意愿亦逐步提高。在供給端方面，目前正是各家DRAM廠執(zhí)行制程轉進的時間點，兩家韓系廠由原先供貨的3X奈米逐步轉往生產難度更高的2X奈米制程，美系廠美光亦逐步拉高3X奈米的生產數(shù)量，現(xiàn)在正處于新舊制程世代交替的銜接點，現(xiàn)貨市場還能看到某些品項顆粒供貨吃緊，帶動價格往上攀升。

　　今年以來受到DRAM持續(xù)供過于求的影響，現(xiàn)貨市場2Gb顆粒單價普遍呈現(xiàn)跌勢，甚至在10月下旬最低點來到US$0.817美元，直到12月開始起漲，至今與最低點相較已經呈現(xiàn)超過15%的漲幅。對合約市場而言，現(xiàn)貨價格仍具領先指針，再加上9月份各廠的減產效應陸續(xù)發(fā)酵，同時將生產的重心移向行動式內存，TrendForce預估減產持續(xù)進行前提下，供需間的產量將逐步趨近平衡，標準型內存持續(xù)了半年以上的跌勢可望暫時休止。

　　2013年DRAM產業(yè)資本支出大減兩成，制程轉進速度放緩趨勢確立

　　由于DRAM產業(yè)連年供過于求使得此產業(yè)已經成為”燒錢事業(yè)”代名詞，近期廠商擴大產能與制程微縮，雖然可進一步降低成本，但由于競爭仍然激烈，廠商能夠獲利的機會有限，每年巨額的資本支出就像是雙面刃，一方面若是縮減投資金額恐造成成本競爭力的不足，但若是過度投資，除了現(xiàn)金流的壓力以外，亦極有可能導致市場的供給過剩，造成先前投資無法回收。2012年由于需求面受到個人計算機出貨持續(xù)萎縮的影響，大部分DRAM廠都面臨財務虧損窘境，除了調整產品組合以外，競爭力較低的廠商為了保存手頭上僅有的營運現(xiàn)金，多以逐步減產來做為因應之道。

　　對于2013年的資本支出計劃，再度縮減投資金額已獲得業(yè)界共識。以產業(yè)龍頭三星半導體為例，由于垂直整合策略產生良好綜效，成為今年度唯一獲利的DRAM廠商，為了要對市況做出最好的反應，過去三星總是在其他廠商縮手投資金額時逆向大增資本支出，今年卻一反常態(tài)，除了進一步將PCDRAM生產轉向MobileDRAM之外，同時也宣布將大幅縮減明年的資本支出，預估與今年相較減幅達48%，總金額僅有1.1億美元為歷年來最低。

　　其他DRAM廠亦在明年紛紛下修資本支出，根據TrendForce的調查，2013年整體DRAM產業(yè)的資本支出與2012年相較再度呈現(xiàn)21%的減幅，此舉將影響制程轉進的進度，3X奈米制程仍是2013年的主流，相較于過往一年可見2個世代制程的交替已不復見，制程轉進速度趨緩已是產業(yè)心照不宣的共識。由于DRAM產業(yè)的獲利模式受到需求端劇烈變化而產生結構性的改變，唯有供給端提出更有彈性的調整策略來因應，否則將很快面臨淘汰的命運。