Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費(fèi)在線仿真工具

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK^® 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費(fèi)在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強(qiáng)大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對(duì)功率耗散的時(shí)間縮放功能，定義更多的真實(shí)條件以提高仿真精度和設(shè)計(jì)靈活性，減輕對(duì)用戶使用經(jīng)驗(yàn)的要求。　　

 　　其他熱仿真工具只能進(jìn)行封裝級(jí)的仿真，而ThermaSim使用有限元分析(FEA)技術(shù)來(lái)提高精度。這款免費(fèi)在線工具在高電流、高溫應(yīng)用中特別有用，例如汽車、固網(wǎng)通信、桌面和筆記本電腦，以及工業(yè)系統(tǒng)。最新版本的仿真工具還非常適合裕量小的設(shè)計(jì)，以及會(huì)受UIS(未鉗位的電感開關(guān))和汽車拋負(fù)載等瞬態(tài)情況影響的應(yīng)用。

　　ThermaSim可幫助設(shè)計(jì)者在產(chǎn)品原型前對(duì)Vishay Siliconix的功率MOSFET、IC和DrMOS產(chǎn)品進(jìn)行詳盡的熱仿真，從而縮短上市時(shí)間。對(duì)于高可信設(shè)計(jì)，ThermaSim 3.0在很多方面提供了大量新的和改進(jìn)的功能，并包括以下內(nèi)容：

　　瞬態(tài)熱仿真(僅對(duì)MOSFET)：

　　對(duì)仿真的功率耗散數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)間縮放(最大1000級(jí))，提高設(shè)計(jì)可靠性。這種方法可以在仿真曲線的時(shí)間段上的多個(gè)位置進(jìn)行縮放，對(duì)高功率脈沖(kW級(jí))及持續(xù)時(shí)間短(≥1ns)的情況特別有用。此外，工具能夠以最初MOSFET裸片面積的10%、15%或25%作為散熱區(qū)，以便對(duì)低柵極驅(qū)動(dòng)和漏源電壓尖峰等情況進(jìn)行更好的分析。

　　改善用戶體驗(yàn)：

　　為節(jié)省時(shí)間和消除可能的數(shù)據(jù)錄入錯(cuò)誤，ThermaSim 3.0允許用戶上傳Excel^®格式的功率曲線數(shù)據(jù)包，可根據(jù)需要的次數(shù)反復(fù)上傳數(shù)據(jù)包，當(dāng)需要的時(shí)候用戶之間可交換仿真結(jié)果和整個(gè)設(shè)計(jì)的副本。另外，強(qiáng)大的工具用圖形顯示的方式在PCB上擺放元器件。

　　根據(jù)“真實(shí)條件”進(jìn)行仿真：

　　用戶甚至可以定義更多的條件，包括在頂層和底層PCB板上的銅擴(kuò)散，焊錫厚度，焊點(diǎn)質(zhì)量，氣隙，膠/隔離層的厚度，以及在PCB上或PCB外的導(dǎo)線端接。

　　高效仿真：

　　異步重新加載和web接口(Ajax)，以及負(fù)載均衡和高網(wǎng)格解析度，能更快得到仿真結(jié)果。