美高森美為NPT IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。

　　美高森美的NPT IGBT產(chǎn)品系列設(shè)計(jì)用于需要大功率和高性能廣大范圍的工業(yè)應(yīng)用，最新的器件非常適合電焊機(jī)、太陽能逆變器，以及不間斷電源和開關(guān)電源。1200V產(chǎn)品系列中的所有器件均以美高森美的先進(jìn)Power MOS 8™技術(shù)為基礎(chǔ)，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。

　　美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產(chǎn)品系列中的所有器件相一致，可以與美高森美的FRED或碳化硅肖特基二極管組合封裝，為工程師提供高集成度解決方案，以便簡(jiǎn)化產(chǎn)品開發(fā)工作。其它特性包括：

• 與同類器件相比，柵極電荷顯著減少，具有更快的開關(guān)性能;
• 硬開關(guān)運(yùn)作頻率超過80KHz，實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換;
• 易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù))，提升大功率應(yīng)用的可靠性
• 額定短路耐受時(shí)間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT)，在需要短路能力的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)作

　　除了器件優(yōu)勢(shì)之外，美高森美為NPT IGBT器件提供貼片 D3封裝，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更低的制造成本。

　　封裝和供貨

　　美高森美的1200V NPT IGBT產(chǎn)品系列現(xiàn)在包括20多款器件，額定電流有25A、40A、50A、70A和85A，IGBT產(chǎn)品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。