美高森美為NPT IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件
—— 全新25A、50A和 70A IGBT器件設(shè)計用于大功率、高性能的工業(yè)應用
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A額定電流型款。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/143895.htm美高森美的NPT IGBT產(chǎn)品系列設(shè)計用于需要大功率和高性能廣大范圍的工業(yè)應用,最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器,以及不間斷電源和開關(guān)電源。1200V產(chǎn)品系列中的所有器件均以美高森美的先進Power MOS 8™技術(shù)為基礎(chǔ),與競爭解決方案相比,總體開關(guān)和導通損耗顯著降低20%或更多。
美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產(chǎn)品系列中的所有器件相一致,可以與美高森美的FRED或碳化硅肖特基二極管組合封裝,為工程師提供高集成度解決方案,以便簡化產(chǎn)品開發(fā)工作。其它特性包括:
- 與同類器件相比,柵極電荷顯著減少,具有更快的開關(guān)性能;
- 硬開關(guān)運作頻率超過80KHz,實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換;
- 易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù)),提升大功率應用的可靠性
- 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT),在需要短路能力的應用中實現(xiàn)可靠運作
除了器件優(yōu)勢之外,美高森美為NPT IGBT器件提供貼片 D3封裝,可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高的功率密度和更低的制造成本。
封裝和供貨
美高森美的1200V NPT IGBT產(chǎn)品系列現(xiàn)在包括20多款器件,額定電流有25A、40A、50A、70A和85A,IGBT產(chǎn)品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。
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