產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳，共話閃存與移動(dòng)技術(shù)的世紀(jì)交鋒

作者：時(shí)間：2013-04-19 來源：電子產(chǎn)品世界

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　　二、 Nand Flash與DRAM技術(shù)未來將如何發(fā)展?　　

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/144439.htm

　　如今半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展，作為存儲(chǔ)中堅(jiān)的NAND Flash和DRAM技術(shù)未來將如何發(fā)展?NAND Flash發(fā)明者東芝半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)經(jīng)理康敏宣獨(dú)家披露了未來發(fā)展戰(zhàn)略。

　　首先他認(rèn)為NAND Flash未來的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒏油貜V，“估計(jì)今年的NANDFlash總需求量會(huì)達(dá)到600億GB。”他指出，“除了在手機(jī)平板超極本領(lǐng)域應(yīng)用外，汽車電子、服務(wù)器的應(yīng)用也很大。”

　　他表示東芝的策略是不斷開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)來提升產(chǎn)能，緩解供應(yīng)壓力。如東芝是第一家推出19nm產(chǎn)品的公司，“未來，隨著工藝技術(shù)發(fā)展，東芝的發(fā)展方向是兩個(gè)，一個(gè)是大容量存儲(chǔ)，如19nm工藝產(chǎn)品，不過這個(gè)往下發(fā)展難度很大，所以，東芝會(huì)在明后年推出POST-NAND的產(chǎn)品，也就是3D NAND產(chǎn)品，接下來是POST-POST NAND。另個(gè)方向是東芝會(huì)投資發(fā)展磁阻內(nèi)存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技術(shù)，它將替代現(xiàn)在的DRAM，磁阻內(nèi)存和DRAM內(nèi)存采用了完全不同的原理。DRAM內(nèi)存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來進(jìn)行的，它不僅需要保持通電，還需要周期性地給電容充電才能保證內(nèi)容不丟。而磁阻內(nèi)存的存儲(chǔ)原理則完全不使用電容，它采用兩塊納米級(jí)鐵磁體，在界面上用一個(gè)非磁金屬層或絕緣層來夾持一個(gè)金屬導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。通過改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導(dǎo)體的磁致電阻就會(huì)發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過它的電流就會(huì)變小，反之亦然。

　　他最看好的明星產(chǎn)品是自旋扭矩轉(zhuǎn)換(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“現(xiàn)在手機(jī)中的DRAM，斷電后不能保存資料，而且功耗很高，但MRAM沒有這個(gè)問題，而且它的讀寫速度非常快，而且理論上它的讀寫刷新是無限的，所以我們非常看好這款產(chǎn)品，我們希望用MRAM代替現(xiàn)在的DRAM。”他指出。

　　另外他特別強(qiáng)調(diào)東芝的所有NAND Flash產(chǎn)品都在日本巖手縣有的第五座NAND型閃存(Flash)工廠生產(chǎn)，以確保向市場(chǎng)提供可靠穩(wěn)定的產(chǎn)品。

　　三、智能手機(jī)如何差異創(chuàng)新?　　

　　目前，智能手機(jī)市場(chǎng)火爆但智能機(jī)同質(zhì)化日益嚴(yán)重，如何差異化創(chuàng)新?博通公司銷售總監(jiān)羅旭杰認(rèn)為，創(chuàng)新就是要給用戶更好的用戶體驗(yàn)，博通公司認(rèn)為用戶體驗(yàn)來自幾個(gè)方面，一是在WIFI方面如何更快更可靠更穩(wěn)定，二是如何共享流媒體，三是給用戶更快的手機(jī)上網(wǎng)體驗(yàn)。“從2012到2017年，數(shù)據(jù)增長非?？?，有13倍之多，其中多數(shù)是視頻增長，未來在視頻方面大家會(huì)分享的更多，因此，5G WiFi技術(shù)會(huì)非常熱門。”他指出“5G頻段可以提供更高的性能，也可以連接更多的設(shè)備，覆蓋范圍也會(huì)增大。”，

　　另外他認(rèn)為NFC技術(shù)也會(huì)激發(fā)更多創(chuàng)新應(yīng)用，例如一些輕觸即用(Tap play)的技術(shù)，可以方便地把智能設(shè)備連接起來?！　?/p>