安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT，擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性，降低損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。



安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“電器的使用數(shù)量持續(xù)增多，使不斷增長的工業(yè)及消費(fèi)市場的總能耗穩(wěn)步上升。安森美半導(dǎo)體持續(xù)開發(fā)薄晶圓工藝及植入技術(shù)，能夠顯著提升IGBT性能，而這對配合更多高能效方案的需求極為重要。”

公司推出的FSII IGBT首組產(chǎn)品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW；這些器件優(yōu)化了開關(guān)性能并降低了導(dǎo)電損耗，用于采用15千赫茲(kHz)到30 kHz的中等頻率工作的電磁加熱和軟開關(guān)應(yīng)用。器件在大電流時(shí)提供極佳的強(qiáng)固性和優(yōu)異的導(dǎo)通狀態(tài)特性，根據(jù)系統(tǒng)要求經(jīng)過優(yōu)化，以提供更高能效及降低系統(tǒng)損耗。這些高速IGBT提供領(lǐng)先業(yè)界的系統(tǒng)級性能，用于電磁加熱產(chǎn)品，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。這系列器件提供1,200伏(V)及1,350 V平臺版本，額定電流涵蓋20安培(A)、30 A及40  A。

安森美半導(dǎo)體的FSII IGBT技術(shù)進(jìn)一步擴(kuò)充，新產(chǎn)品還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，專門設(shè)計(jì)用于太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)及變頻焊機(jī)應(yīng)用。這些器件提供增強(qiáng)的熱性能，結(jié)點(diǎn)工作溫度范圍達(dá)-55到+175°C，并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100 A。

安森美半導(dǎo)體提供高品質(zhì)及可靠IGBT的實(shí)力悠久，其中通過汽車行業(yè)AEC-Q認(rèn)證的IGBT量產(chǎn)已經(jīng)超過十年。2011年，公司開始開發(fā)新的高壓/大電流IGBT，用于不斷增長、持續(xù)需求高能效方案的工業(yè)及消費(fèi)類市場。安森美半導(dǎo)體采用專有溝槽場截止型IGBT技術(shù)的首個(gè)完整產(chǎn)品系列于2012年發(fā)布，媲美互相競爭的技術(shù)。此次發(fā)布的最新FSII IGBT技術(shù)使安森美半導(dǎo)體居市場領(lǐng)先地位。