我國半導體2020年有望超過韓國

　　1983年時任三星會長的李秉喆發(fā)表“我想以我們民族特有的強韌精神和創(chuàng)造力為基礎(chǔ)來推進半導體事業(yè)”的“東京宣言”。在初期，因日本企業(yè)的牽制和缺乏技術(shù)而困難重重，但1994年(三星)世界首次開發(fā)出245兆位(Mb)D-RAM后，迄今為止仍保持著存儲器(memory)半導體業(yè)界第一的地位。從李秉喆發(fā)表“東京宣言”到進入領(lǐng)先地位，大約用了10多年的時間。 1999年中國華虹集團與日本NEC合作，在上海首次啟動中國第一個使用8英寸(200毫米)晶片(wafer)的D-RAM生產(chǎn)線。這是中國政府從20世紀90年代開始實施的“國家重點半導體項目”的一環(huán)。該項目成為中國企業(yè)正式進入半導體事業(yè)的契機，最近半導體業(yè)界將其稱為“北京宣言”。中國企業(yè)的發(fā)展勢頭兇猛，堪比半導體事業(yè)初期的三星電子。從中國政府的“北京宣言”開始，到10多年后的21世紀10年代后期，中國企業(yè)的成果開始顯現(xiàn)出來。特別是在過去世界半導體市場景氣不振的5年間，SMIC、華虹-NEC(HH-NEC)等中國半導體企業(yè)每年以10%以上的速度迅速發(fā)展。三星經(jīng)濟研究所預計今年中國半導體企業(yè)的平均增長速度將會達到15%。中國半導體企業(yè)發(fā)展“勢如破竹”的跳板是，中國政府提供半導體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)施并給予稅收優(yōu)惠等積極扶持政策。

　　不僅如此，中國國務(wù)院2011年還再次公布了“要在半導體、顯示器、原配件等產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)域培養(yǎng)代表企業(yè)，奠定全球產(chǎn)業(yè)基地的基礎(chǔ)”的中長期產(chǎn)業(yè)扶持計劃。中國政府積極進行附加值稅優(yōu)惠、改善外國人投資條件、稅收優(yōu)惠等支援。去年還公布了到2015年為止，投資250億美元(28萬億韓元)，將該領(lǐng)域的生產(chǎn)量增加兩倍和將市場規(guī)模增加1.5倍的計劃。因為在中國，隨著生產(chǎn)筆記本電腦和智能手機等產(chǎn)品的企業(yè)增加，半導體等原材料需求持續(xù)增加。三星電子也是考慮到這一點，從去年9月開始，正在中國西安建設(shè)總投資規(guī)模高達70億美元(8萬億韓元)的半導體生產(chǎn)工廠。

　　中國半導體產(chǎn)業(yè)不僅取得了量的發(fā)展，還致力于質(zhì)的飛躍。中國大陸的SMIC、華虹-NEC和臺灣的TSMC、UMC等企業(yè)正集中進行委托生產(chǎn)(芯片代工廠，foundry)，而不是自己開發(fā)半導體產(chǎn)品。但去年華為推出了自己開發(fā)的智能手機用四核(quad-core)處理器(AP)，正在縮小差距。業(yè)界相關(guān)人士表示“中國半導體企業(yè)現(xiàn)在的水平還不足以威脅韓國最尖端的半導體產(chǎn)品”，“中國和韓國的半導體技術(shù)差距大約為2.5年，如果考慮到現(xiàn)在的增長勢頭，2020年左右，中國部分產(chǎn)品技術(shù)可能會超過韓國”。