SEZ推出單晶圓FEOL光阻去除創(chuàng)新解決方案

美國(guó)加利福尼亞州舊金山市，SEMICON WEST—2006年7月10日訊—業(yè)界領(lǐng)先的服務(wù)于半導(dǎo)體行業(yè)的單晶濕式處理解決方案首要?jiǎng)?chuàng)新者SEZ（瑟思）集團(tuán) (瑞士股票交易市場(chǎng)SWX代碼：SEZN)于今日宣布集團(tuán)己開(kāi)發(fā)出新型化學(xué)制程，將極大地改善前段制程（FEOL）中的光阻去除制程 。SEZ的專(zhuān)有技術(shù)Enhanced Sulfuric Acid™ (ESA™) 去除制程能夠利用一系列以硫酸為主的化學(xué)試劑，極大地縮減了目前在光阻去除機(jī)或者批式環(huán)境中實(shí)施的光阻去除制程的步驟：光阻重修、蝕刻植入后和光阻去除以及在等離子光阻去除制程之后的殘留物去除等。在數(shù)個(gè)重要客戶(hù)的單反應(yīng)室R&D設(shè)備上進(jìn)行的評(píng)估實(shí)驗(yàn)證明，這一全濕式化學(xué)方法取得了令人振奮的效果，而且預(yù)計(jì)在本年度后期，實(shí)施在SEZ多反應(yīng)室FEOL的量產(chǎn)生產(chǎn)設(shè)備上時(shí)，有望取得更大的進(jìn)步。

光阻去除是一個(gè)耗時(shí)、耗成本的制程。在FEOL需要將近20個(gè)或更多的步驟來(lái)完成，其中植入后的光阻去除需要12到15次。由于在整個(gè)濕式清洗過(guò)程中，等離子光阻去除導(dǎo)致硅片的氧化和后來(lái)的氧化物去除，反復(fù)地執(zhí)行這一步驟會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的硅片累積損失，進(jìn)而極大地降低了晶體管的性能。芯片制造商們需要的是能夠應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的清洗制程－在縮減整體步驟的同時(shí)，盡可能地減少硅片損失，而且能夠確保更短的制程時(shí)間，以及實(shí)實(shí)在在的成本節(jié)約。 通過(guò)與關(guān)鍵客戶(hù)的緊密合作，SEZ集團(tuán)充分利用了在單晶圓層面的專(zhuān)家技術(shù)，開(kāi)發(fā)出了靈活的全濕式化學(xué)方法，消除了對(duì)等離子光阻去除的需求，進(jìn)而避免了因高溫而產(chǎn)生的缺陷。與批式設(shè)備相比，單晶圓設(shè)備實(shí)現(xiàn)了一系列的優(yōu)勢(shì)：更好的缺陷控制（雜質(zhì)顆粒在晶圓之間或者在晶圓晶背之間的轉(zhuǎn)移減少）；更好的制程控制（均勻性得以改善，基材損失控制在最小）；以及更優(yōu)化的耗材利用率（單晶圓設(shè)備能夠循環(huán)使用化學(xué)試劑）。

SEZ集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官Kurt Lackenbucher先生表示：“通過(guò)我們的技術(shù)，毫無(wú)疑問(wèn)地，我們?cè)贔EOL光阻去除應(yīng)用方面的解決方案能夠充分滿足客戶(hù)最直接、最緊迫的需求，而且能夠創(chuàng)造出在FEOL制程范疇內(nèi)實(shí)施單晶圓方法的重要機(jī)遇。ESA去除制程和SEZ即將誕生的FEOL平臺(tái)的結(jié)合將創(chuàng)造出能夠迅速量產(chǎn)的、高性能解決方案，在一個(gè)靈活的單晶圓設(shè)備上實(shí)現(xiàn)了光阻去除和殘留物清除。這一解決方案象征著SEZ集團(tuán)沿著我們的技術(shù)藍(lán)圖又邁出了新的戰(zhàn)略性步伐，即專(zhuān)注于可預(yù)見(jiàn)的客戶(hù)需求，推動(dòng)單晶圓技術(shù)在整個(gè)制造環(huán)節(jié)的部署。”

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